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半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)及其量測(cè)系統(tǒng)和量測(cè)設(shè)備

專利號(hào)
CN109545722B
公開(kāi)日期
2019-08-20
申請(qǐng)人
上海精測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(上海市青浦區(qū)趙巷鎮(zhèn)滬青平公路3398號(hào)1幢2層Q區(qū)202室)
發(fā)明人
劉亮; 李仲禹; 唐海明
IPC分類
H01L21/67
技術(shù)領(lǐng)域
半導(dǎo)體,導(dǎo)體,efem,硅片,接口,工控機(jī),工藝,前端,測(cè)量,申請(qǐng)
地域: 上海市 上海市青浦區(qū)

摘要

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)及其量測(cè)系統(tǒng)和量測(cè)設(shè)備。該半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備具有機(jī)體,機(jī)體內(nèi)設(shè)有量測(cè)室。機(jī)體外設(shè)置有連接接口。連接接口與量測(cè)室連通并布置成能夠連接至半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的片庫(kù)接口。本申請(qǐng)的設(shè)備能夠大大提高半導(dǎo)體量測(cè)的效率并降低成本。

說(shuō)明書(shū)

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半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)及其量測(cè)系統(tǒng)和量測(cè)設(shè)備 技術(shù)領(lǐng)域 [0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備,具體涉及半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備。 背景技術(shù) [0002] 目前芯片制造工藝中,硅片在生產(chǎn)線不同工藝加工模塊之間需要通過(guò)半導(dǎo)體設(shè)備 前端模塊(Equipment?Front?End?Module,簡(jiǎn)稱EFEM)和自動(dòng)導(dǎo)引車系統(tǒng)(Automated? Guided?Vehicle,簡(jiǎn)稱AGV,或稱天車系統(tǒng))進(jìn)行高效傳輸和定位。 [0003] 現(xiàn)有技術(shù)的EFEM示意如圖1所示。片庫(kù)(load?port)7用來(lái)進(jìn)行硅片的上下料。片庫(kù) 7上有片盒(Front-opening?unified?pod,簡(jiǎn)稱Foup)用來(lái)盛放硅片。EFEM內(nèi)部含有機(jī)械手, 通過(guò)片庫(kù)接口8從片盒取硅片,將硅片準(zhǔn)確的送到工藝設(shè)備,而后將工藝處理完成的硅片再 通過(guò)片庫(kù)接口放回片盒。當(dāng)今半導(dǎo)體工藝采用的國(guó)際SEMI(Semiconductor?Equipment?and? Materials?International)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)確定義了片庫(kù)和片盒的外形尺寸,即EFEM同片盒連接的 片庫(kù)接口是標(biāo)準(zhǔn)化的。圖2中進(jìn)一步展示了目前半導(dǎo)體設(shè)備的立體圖。 [0004] 圖3中右側(cè)圖為現(xiàn)有技術(shù)的量測(cè)設(shè)備的構(gòu)造圖。相對(duì)于工藝設(shè)備,量測(cè)設(shè)備亦為獨(dú) 立的一整套設(shè)備。硅片通過(guò)上下料口11進(jìn)入工件臺(tái),而后通過(guò)測(cè)試探頭對(duì)硅片進(jìn)行光學(xué)測(cè) 量,例如膜厚測(cè)量,關(guān)鍵尺寸(CD)測(cè)量,圖形套刻(Overlay)測(cè)量,表面自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI) 測(cè)量等等。量測(cè)設(shè)備和工藝設(shè)備間的傳輸通過(guò)如前所述的天車系統(tǒng)(硅片裝在片盒中)來(lái)完 成。 [0005] 現(xiàn)有量測(cè)設(shè)備有如下問(wèn)題:1.硅片需要在工藝設(shè)備和量測(cè)設(shè)備間傳輸耗費(fèi)時(shí)間, 影響硅片的生產(chǎn)效率;2.因?yàn)楣杵纳a(chǎn)潔凈室有很高的要求,潔凈室的運(yùn)營(yíng)成本同潔凈 室的空間大小直接相關(guān),在Fab廠極度有限的空間內(nèi),獨(dú)立的量測(cè)設(shè)備搶占了工廠空間;3. 獨(dú)立的量測(cè)設(shè)備除了需要測(cè)量系統(tǒng),還需要配備獨(dú)立的機(jī)械臂系統(tǒng)上下料,整體造價(jià)成本 高。 發(fā)明內(nèi)容 [0006] 本發(fā)明的目的是提供一種能夠提高硅片的量測(cè)效率的半導(dǎo)體設(shè)備。進(jìn)一步地,本 申請(qǐng)的目的是提供一種能夠降低硅片的生產(chǎn)和量測(cè)成本的設(shè)備。 [0007] 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,所述半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備具有 機(jī)體,所述機(jī)體內(nèi)設(shè)有量測(cè)室,其中,所述機(jī)體外設(shè)置有連接接口,所述連接接口與所述量 測(cè)室連通并設(shè)置成能夠連接至半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的片庫(kù)接口。 [0008] 一實(shí)施例中,所述連接接口布置成在連接至所述片庫(kù)接口時(shí),所述量測(cè)室與所述 片庫(kù)接口可操作地連通。 [0009] 一實(shí)施例中,所述連接接口布置有量測(cè)設(shè)備接口門,所述量測(cè)設(shè)備接口門可操作 地打開(kāi)或關(guān)閉。 [0010] 一實(shí)施例中,所述連接接口具有連接框,所述連接框布置成能夠連接至所述片庫(kù) 接口。 [0011] 一實(shí)施例中,所述連接接口具有布置于所述連接框外部的密封件。 [0012] 一實(shí)施例中,所述連接接口具有連接框和對(duì)位件,其中所述連接框上設(shè)有對(duì)位結(jié) 構(gòu),所述對(duì)位件設(shè)有與所述對(duì)位結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的對(duì)位部。 [0013] 一實(shí)施例中,所述連接接口進(jìn)一步設(shè)有方位調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),用于調(diào)節(jié)所述連接接口相 對(duì)于所述片庫(kù)接口的方位。 [0014] 一實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備進(jìn)一步設(shè)有氣路系統(tǒng),所述氣路系統(tǒng)布置成向 所述量測(cè)室充入氣體。 [0015] 一實(shí)施例中,所述氣路系統(tǒng)布置成使得所述量測(cè)室的氣壓相對(duì)于大氣為正壓。 [0016] 一實(shí)施例中,所述氣路系統(tǒng)具有氣體壓力傳感器,所述氣路系統(tǒng)進(jìn)一步布置成根 據(jù)所述氣體壓力傳感器檢測(cè)到的壓力來(lái)調(diào)節(jié)進(jìn)入所述量測(cè)室的進(jìn)氣量。一實(shí)施例中,所述 量測(cè)室內(nèi)設(shè)有工件臺(tái),所述工件臺(tái)能夠朝向所述連接接口運(yùn)動(dòng)。 [0017] 一實(shí)施例中,所述工件臺(tái)布置成能夠沿橫向、縱向和垂向運(yùn)動(dòng)。 [0018] 一實(shí)施例中,所述量測(cè)室布置成能夠?qū)杵M(jìn)行檢測(cè)。 [0019] 一實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊(EFEM)。 [0020] 一實(shí)施例中,所述片庫(kù)接口是符合國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)的接口。 [0021] 一實(shí)施例中,所述片庫(kù)接口設(shè)有片庫(kù)接口門和接口外框。 [0022] 一實(shí)施例中,所述連接接口設(shè)置成能夠連接至半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊的檢修門的位 置或者能夠連接至半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊的側(cè)壁上,在除了設(shè)有片庫(kù)接口的位置之外的其他 合適的位置處。 [0023] 本申請(qǐng)進(jìn)一步提供了一種半導(dǎo)體量測(cè)系統(tǒng),所述半導(dǎo)體量測(cè)系統(tǒng)包括半導(dǎo)體設(shè)備 前端模塊,所述半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊具有多個(gè)片庫(kù)接口,其中所述半導(dǎo)體量測(cè)系統(tǒng)進(jìn)一步 包括至少一個(gè)如上所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,每個(gè)半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備連接至對(duì)應(yīng)的一個(gè)片庫(kù)接 口。 [0024] 一實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備包括分別用于硅片的膜厚測(cè)量、關(guān)鍵尺寸測(cè)量、 圖形套刻測(cè)量和表面自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)測(cè)量的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備。

權(quán)利要求

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1.一種半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,所述半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備具有機(jī)體,所述機(jī)體內(nèi)設(shè)有量測(cè)室,其特征在于,所述機(jī)體外設(shè)置有連接接口,所述連接接口與所述量測(cè)室連通并設(shè)置成能夠連接至半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的片庫(kù)接口;以及所述半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備進(jìn)一步設(shè)有氣路系統(tǒng),所述氣路系統(tǒng)布置成向所述量測(cè)室充入氣體,使得所述量測(cè)室的氣壓相對(duì)于大氣為正壓。 2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述連接接口布置有量測(cè)設(shè)備接口門,所述量測(cè)設(shè)備接口門可操作地打開(kāi)或關(guān)閉。 3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述連接接口布置成在連接至所述片庫(kù)接口時(shí),所述量測(cè)室與所述片庫(kù)接口可操作地連通。 4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述連接接口具有連接框,所述連接框布置成能夠連接至所述片庫(kù)接口。 5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述連接接口具有布置于所述連接框外部的密封件。 6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述連接接口進(jìn)一步設(shè)有方位調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),用于調(diào)節(jié)所述連接接口相對(duì)于所述片庫(kù)接口的方位。 7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述連接接口具有連接框和對(duì)位件,其中所述連接框上設(shè)有對(duì)位結(jié)構(gòu),所述對(duì)位件設(shè)有與所述對(duì)位結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的對(duì)位部。 8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述氣路系統(tǒng)具有氣體壓力傳感器,所述氣路系統(tǒng)進(jìn)一步布置成根據(jù)所述氣體壓力傳感器檢測(cè)到的壓力來(lái)調(diào)節(jié)進(jìn)入所述量測(cè)室的進(jìn)氣量。 9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述量測(cè)室內(nèi)設(shè)有工件臺(tái),所述工件臺(tái)能夠朝向所述連接接口運(yùn)動(dòng)。 10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述量測(cè)室布置成能夠?qū)杵M(jìn)行檢測(cè)。 11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊(EFEM)。 12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述片庫(kù)接口是符合國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)的接口。 13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述片庫(kù)接口設(shè)有片庫(kù)接口門和接口外框。 14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述連接接口設(shè)置成能夠連接至半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊的檢修門的位置或者能夠連接至半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊的側(cè)壁上,在除了設(shè)有片庫(kù)接口的位置之外的其他合適的位置處。
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