移動(dòng)襯底傳送室 [0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用 [0002] 本申請(qǐng)要求于2018年2月15日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.62/631,057的權(quán)益。以上引用的申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用合并于此。 背景技術(shù) [0003] 這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開(kāi)的背景的目的。在此背景技術(shù)部分以及在提交申請(qǐng)時(shí)不能確定為現(xiàn)有技術(shù)的描述的各方面中描述的范圍內(nèi)的當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對(duì)本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)。 [0004] 襯底處理系統(tǒng)可用于對(duì)諸如半導(dǎo)體晶片之類的襯底執(zhí)行沉積、蝕刻和/或其他處理。在處理期間，將襯底布置在襯底處理系統(tǒng)的處理室中的襯底支撐件上。將包含一種或多種前體的氣體混合物引入處理室，并且可以激勵(lì)等離子體來(lái)激活化學(xué)反應(yīng)。 [0005] 襯底處理系統(tǒng)可以包括布置在制造室內(nèi)的多個(gè)襯底處理工具。每個(gè)襯底處理工具可以包括多個(gè)處理模塊。通常，襯底處理工具可以包括以徑向布置(即，以徑向集群式)圍繞真空傳送模塊聚集的4、5或6個(gè)處理模塊。 發(fā)明內(nèi)容 [0006] 一種襯底處理工具包括：多個(gè)處理模塊，其被配置為處理半導(dǎo)體襯底。所述多個(gè)處理模塊中的每一個(gè)被布置在所述襯底處理工具內(nèi)的不同位置處。真空傳送模塊(VTM)包括機(jī)械手，并且被配置為在與襯底處理工具內(nèi)的所述不同位置相對(duì)應(yīng)的多個(gè)不同位置之間移動(dòng)，以使得所述機(jī)械手能訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的相應(yīng)的處理模塊。 [0007] 在其他特征中，所述多個(gè)處理模塊在所述襯底處理工具的第一線性軸的任一側(cè)上在第一線性方向上對(duì)準(zhǔn)，并且所述VTM被配置為在所述第一線性方向上移動(dòng)。所述VTM包括至少一個(gè)開(kāi)口，所述至少一個(gè)開(kāi)口被配置為與所述襯底處理工具的任一側(cè)上的所述多個(gè)處理模塊對(duì)準(zhǔn)。所述至少一個(gè)開(kāi)口包括多個(gè)開(kāi)口，所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)開(kāi)口面對(duì)所述多個(gè)處理模塊中的相應(yīng)的處理模塊。所述VTM被配置為能旋轉(zhuǎn)以將所述至少一個(gè)開(kāi)口與所述多個(gè)處理模塊中的相應(yīng)的處理模塊對(duì)準(zhǔn)。所述至少一個(gè)開(kāi)口是閘閥。所述閘閥包括端口和真空密封件。所述襯底處理工具還包括真空泵，所述真空泵被配置為抽空所述閘閥與所述多個(gè)處理模塊中的相應(yīng)處理模塊之間的傳送體積空間。 [0008] 在其他特征中，所述VTM被配置為沿著所述襯底處理工具的第一軸在第一線性方向上移動(dòng)以及沿著所述襯底處理工具的與所述第一軸垂直的第二軸在第二線性方向上移動(dòng)。所述VTM被配置為相對(duì)于所述多個(gè)處理模塊在豎直方向上升高和降低。所述襯底處理工具還包括被配置為升高和降低所述VTM的線性致動(dòng)器。 [0009] 在其他特征中，所述VTM對(duì)應(yīng)于第一VTM，并且所述襯底處理工具還包括第二VTM，所述第二VTM被配置為在所述多個(gè)不同位置之間移動(dòng)。所述第一VTM和所述第二VTM均被配置為訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的每一個(gè)。所述第一VTM被配置為訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的第一組，并且所述第二VTM被配置為訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的第二組。所述第一VTM和所述第二VTM均被配置為以順時(shí)針或逆時(shí)針?lè)绞巾樞虻卦L問(wèn)所述多個(gè)處理模塊。 [0010] 在其他特征中，所述第二VTM被配置成在豎直方向上升高和降低。所述第二VTM被升高，所述第二VTM被配置為在所述第一VTM上方移動(dòng)并越過(guò)所述第一VTM。一種系統(tǒng)包括所述襯底處理工具，并且還包括被配置為在所述不同位置之間移動(dòng)所述VTM的控制器。 [0011] 根據(jù)詳細(xì)描述、權(quán)利要求和附圖，本公開(kāi)內(nèi)容的適用性的進(jìn)一步的范圍將變得顯而易見(jiàn)。詳細(xì)描述和具體示例僅用于說(shuō)明的目的，并非意在限制本公開(kāi)的范圍。 附圖說(shuō)明 [0012] 根據(jù)詳細(xì)描述和附圖將更充分地理解本公開(kāi)，其中： [0013] 圖1A是示例性襯底處理工具的平面圖； [0014] 圖1B是另一示例性襯底處理工具的平面圖； [0015] 圖2A是根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的示例性襯底處理工具的平面圖； [0016] 圖2B是圖2A的示例性襯底處理工具的側(cè)視圖； [0017] 圖3A是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性襯底處理工具的平面圖； [0018] 圖3B是圖3A的示例性襯底處理工具的側(cè)視圖； [0019] 圖4A是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性襯底處理工具的平面圖； [0020] 圖4B是圖4A的示例性襯底處理工具的側(cè)視圖； [0021] 圖5A是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性襯底處理工具的平面圖；以及 [0022] 圖5B是根據(jù)本公開(kāi)的真空傳遞模塊的示例性布置的側(cè)視圖。 [0023] 在附圖中，可以重復(fù)使用附圖標(biāo)記來(lái)標(biāo)識(shí)相似和/或相同的元件。 具體實(shí)施方式 [0024] 在制造室內(nèi)的襯底處理工具的數(shù)量、位置等可能受到襯底處理工具的尺寸和各自的構(gòu)造的限制。因此，襯底處理工具的構(gòu)造限定工具占用面積、間隔和/或間距，其進(jìn)一步限定制造室的工具密度。工具密度可以指每單位制造室面積的襯底處理工具和/或處理模塊的數(shù)量。

1.一種襯底處理工具，其包括： 多個(gè)處理模塊，其被配置為處理半導(dǎo)體襯底，其中，所述多個(gè)處理模塊中的每一個(gè)被布置在所述襯底處理工具內(nèi)的不同位置處；和 包括機(jī)械手的真空傳送模塊VTM，其中所述VTM?是限定內(nèi)部容積的腔室，機(jī)械手布置在?所述VTM?的所述內(nèi)部容積中，并且?VTM?被配置為在所述內(nèi)部容積內(nèi)保持真空，其中，所述VTM被配置為在與襯底處理工具內(nèi)的所述不同位置相對(duì)應(yīng)的多個(gè)不同位置之間移動(dòng)，以使得所述機(jī)械手能訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的相應(yīng)的處理模塊；以及其中，所述VTM?被配置為相對(duì)于所述多個(gè)處理模塊在豎直方向上升高和降低。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理工具，其中，所述多個(gè)處理模塊在所述襯底處理工具的第一線性軸的任一側(cè)上在第一線性方向上對(duì)準(zhǔn)，并且所述VTM被配置為在所述第一線性方向上移動(dòng)。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理工具，其中，所述VTM包括至少一個(gè)開(kāi)口，所述至少一個(gè)開(kāi)口被配置為與所述襯底處理工具的任一側(cè)上的所述多個(gè)處理模塊對(duì)準(zhǔn)。 4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理工具，其中，所述至少一個(gè)開(kāi)口包括多個(gè)開(kāi)口，所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)開(kāi)口面對(duì)所述多個(gè)處理模塊中的相應(yīng)的處理模塊。 5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理工具，其中，所述至少一個(gè)開(kāi)口是閘閥。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理工具，其中，所述閘閥包括端口和真空密封件。 7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理工具，其還包括真空泵，所述真空泵被配置為抽空所述閘閥與所述多個(gè)處理模塊中的相應(yīng)處理模塊之間的傳送體積空間。 8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理工具，其中，所述VTM被配置為沿著所述襯底處理工具的第一軸在第一線性方向上移動(dòng)以及沿著所述襯底處理工具的與所述第一軸垂直的第二軸在第二線性方向上移動(dòng)。 9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理工具，其還包括被配置為升高和降低所述VTM的線性致動(dòng)器。 10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理工具，其中，所述VTM對(duì)應(yīng)于第一VTM，并且還包括第二VTM，所述第二VTM被配置為在所述多個(gè)不同位置之間移動(dòng)。 11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理工具，其中，所述第一VTM和所述第二VTM均被配置為訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的每一個(gè)。 12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理工具，其中，所述第一VTM被配置為訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的第一組，并且所述第二VTM被配置為訪問(wèn)所述多個(gè)處理模塊中的第二組。