顯示設(shè)備及制造該顯示設(shè)備的方法 [0001] 本申請(qǐng)要求于2019年5月24日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10?2019?0061452號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。 技術(shù)領(lǐng)域 [0002] 本公開涉及一種顯示設(shè)備和一種制造該顯示設(shè)備的方法，更具體地，涉及其中在保持外圍層的拒液性質(zhì)的同時(shí)改善發(fā)光器件的可靠性的顯示設(shè)備以及制造該顯示設(shè)備的方法。 背景技術(shù) [0003] 在各種顯示設(shè)備之中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備已經(jīng)由于其寬視角、高對(duì)比度和快響應(yīng)速度而作為下一代顯示設(shè)備被關(guān)注。 [0004] 通常，在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管形成在基底上，并且有機(jī)發(fā)光二極管通過(guò)自身發(fā)光。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以用作具有小的尺寸的顯示設(shè)備(諸如，移動(dòng)電話)，或者可以用作具有大的尺寸的顯示設(shè)備(諸如，電視機(jī))。 [0005] 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)包括像素電極、對(duì)電極以及位于像素電極與對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光層?？梢砸愿鞣N制造工藝(例如，化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、噴墨印刷方法等)來(lái)形成有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光層。 發(fā)明內(nèi)容 [0006] 在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的顯示設(shè)備中，當(dāng)通過(guò)噴墨印刷方法來(lái)形成有機(jī)發(fā)光層時(shí)，發(fā)光區(qū)域的外圍層可以具有拒液性質(zhì)，但是外圍層的拒液性質(zhì)會(huì)由于一些制造工藝而劣化。 [0007] 本公開的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例包括在保持外圍層的拒液性質(zhì)的同時(shí)具有改善的發(fā)光器件的可靠性的顯示設(shè)備以及制造該顯示設(shè)備的方法。然而，以上技術(shù)特征是示例性的，且本公開的范圍不限于此。 [0008] 另外的方面將在下面的描述中部分地進(jìn)行闡述，并且部分地通過(guò)描述將是明顯的，或者可以通過(guò)本公開的所給出的實(shí)施例的實(shí)踐而被獲知。 [0009] 根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，一種顯示設(shè)備包括：基底；像素電極，設(shè)置在基底上；像素限定層，設(shè)置在像素電極上；以及拒液層，設(shè)置在像素限定層上。像素限定層具有使像素電極的中心部分暴露的開口。拒液層具有具備凹凸結(jié)構(gòu)的上表面。 [0010] 拒液層可以包括第一拒液層和第二拒液層，其中，第二拒液層可以定位在第一拒液層上，第一拒液層可以包括第一拒液劑，并且第二拒液層可以包括第二拒液劑。 [0011] 第一拒液劑可以具有與第二拒液劑的第二表面能不同的第一表面能。 [0012] 第一拒液劑的第一表面能可以比第二拒液劑的第二表面能大。 [0013] 第一拒液劑和第二拒液劑中的每者可以具有15達(dá)因/厘米或更小的表面能，并且第一拒液劑的第一表面能可以比第二拒液劑的第二表面能大4達(dá)因/厘米至10達(dá)因/厘米。 [0014] 拒液層可以包括具有8000與20000之間的分子量的聚合材料。 [0015] 聚合材料可以具有主鏈和側(cè)鏈，并且側(cè)鏈部分可以具有20％與30％之間的比率。 [0016] 聚合材料可以具有200℃或更低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。 [0017] 拒液層可以具有30nm與70nm之間的厚度。 [0018] 凹凸結(jié)構(gòu)可以具有其中可重復(fù)地布置有凸部和凹部的圖案，凸部可以具有0.01μm與3μm之間的第一寬度，并且凹部可以具有0.01μm與3μm之間的第二寬度。 [0019] 第一拒液層的上表面可以具有凹凸結(jié)構(gòu)，并且第二拒液層的一部分可以存在于第一拒液層的上表面上。 [0020] 根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，提供了一種制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括：制備基底；在基底上形成像素電極；在像素電極上形成像素限定層；以及在像素限定層上形成拒液層。像素限定層具有使像素電極的中心部分暴露的開口。拒液層包括具有凹凸結(jié)構(gòu)的上表面。 [0021] 形成拒液層的步驟可以包括：形成包括用于形成像素限定層的有機(jī)材料的有機(jī)材料層，有機(jī)材料混合有具有彼此不同的表面能的第一拒液劑和第二拒液劑；烘烤有機(jī)材料層并使像素限定層、第一拒液劑和第二拒液劑相分離，使得第一拒液劑和第二拒液劑定位在像素限定層上；照射等離子體，以去除殘留在像素電極的上表面上的拒液的殘留層；以及在照射等離子體之后烘烤像素限定層。 [0022] 第一拒液劑的第一表面能可以比第二拒液劑的第二表面能大。 [0023] 混合有第一拒液劑和第二拒液劑的有機(jī)材料可以包含2重量百分比(wt％)至 5wt％的第一拒液劑以及0.5wt％至1wt％的第二拒液劑。 [0024] 在相分離的步驟中，第二拒液劑可以定位在第一拒液劑上。 [0025] 可以在照射等離子體之后通過(guò)去除位于像素限定層上的第二拒液層的至少一部分來(lái)在拒液層的上表面上形成凹凸結(jié)構(gòu)。 [0026] 凹凸結(jié)構(gòu)可以具有其中可重復(fù)地布置有凸部和凹部的圖案，凸部可以具有0.01μm與3μm之間的第一寬度，并且凹部可以具有0.01μm與3μm之間的第二寬度。

1.一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括： 基底； 像素電極，設(shè)置在所述基底上； 像素限定層，設(shè)置在所述像素電極上，所述像素限定層具有使所述像素電極的中心部分暴露的開口；以及 拒液層，設(shè)置在所述像素限定層上，所述拒液層包括具有凹凸結(jié)構(gòu)的上表面，其中，所述拒液層包括第一拒液層和第二拒液層，其中，所述第二拒液層定位在所述第一拒液層上，所述第一拒液層包括第一拒液劑，并且所述第二拒液層包括用作犧牲層的第二拒液劑。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中， 所述第一拒液劑具有與所述第二拒液劑的第二表面能不同的第一表面能。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中， 所述第一拒液劑的第一表面能比所述第二拒液劑的第二表面能大。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中， 所述第一拒液劑和所述第二拒液劑中的每者具有15達(dá)因/厘米或更小的表面能，并且所述第一拒液劑的第一表面能比所述第二拒液劑的第二表面能大4達(dá)因/厘米至10達(dá)因/厘米。 5.一種制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括： 制備基底； 在所述基底上形成像素電極； 在所述像素電極上形成像素限定層，所述像素限定層具有使所述像素電極的中心部分暴露的開口；以及 在所述像素限定層上形成拒液層，所述拒液層包括具有凹凸結(jié)構(gòu)的上表面，其中，形成所述拒液層的步驟包括： 形成包括用于形成所述像素限定層的有機(jī)材料的有機(jī)材料層，所述有機(jī)材料混合有具有彼此不同的表面能的第一拒液劑和第二拒液劑，所述第二拒液劑用作犧牲層； 烘烤所述有機(jī)材料層并使所述像素限定層、所述第一拒液劑和所述第二拒液劑相分離，使得所述第一拒液劑和所述第二拒液劑定位在所述像素限定層上； 照射等離子體，以去除殘留在所述像素電極的上表面上的拒液的殘留層；以及在照射所述等離子體之后烘烤所述像素限定層。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中， 所述第一拒液劑的第一表面能比所述第二拒液劑的第二表面能大。 7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中， 混合有所述第一拒液劑和所述第二拒液劑的所述有機(jī)材料包含2wt%至5wt%的所述第一拒液劑以及0.5wt%至1wt%的所述第二拒液劑。 8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中， 在相分離的步驟中，所述第二拒液劑定位在所述第一拒液劑上。