[0055] 在圖1中，顯示設(shè)備1的顯示區(qū)域DA具有方形形狀，但是本公開不限于此。顯示區(qū)域DA可以具有圓形形狀、橢圓形形狀或者諸如三角形、五邊形等的多邊形形狀。此外，圖1的顯示設(shè)備1被示出為包括平坦的面板，但在不脫離本公開的范圍的情況下，顯示設(shè)備1可以被實現(xiàn)為各種類型，例如，柔性顯示設(shè)備、可折疊顯示設(shè)備、可卷曲顯示設(shè)備等。 [0056] 圖2是實施例的顯示設(shè)備1中包括的像素P的等效電路圖。 [0057] 參照圖2，像素P包括連接到掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL的像素電路PC以及連接到像素電路PC的有機(jī)發(fā)光二極管OLED。 [0058] 像素電路PC包括驅(qū)動薄膜晶體管Td、開關(guān)薄膜晶體管Ts和存儲電容器Cst。開關(guān)薄膜晶體管Ts連接到掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL，并且根據(jù)通過掃描線SL輸入的掃描信號Sn將通過數(shù)據(jù)線DL輸入的數(shù)據(jù)信號Dm傳輸?shù)津?qū)動薄膜晶體管Td。 [0059] 存儲電容器Cst連接到開關(guān)薄膜晶體管Ts和驅(qū)動電壓線PL，并且存儲同從開關(guān)薄膜晶體管Ts傳輸?shù)碾妷号c通過驅(qū)動電壓線PL輸入的第一電源電壓ELVDD(或驅(qū)動電壓)之間的電壓差對應(yīng)的電荷量。 [0060] 驅(qū)動薄膜晶體管Td連接到驅(qū)動電壓線PL和存儲電容器Cst，并且可以響應(yīng)于存儲在存儲電容器Cst中的電壓值而控制從驅(qū)動電壓線PL流到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流。有機(jī)發(fā)光二極管OLED可以根據(jù)驅(qū)動電流來發(fā)射具有預(yù)定亮度的光。 [0061] 圖2示出了其中像素電路PC包括兩個薄膜晶體管和一個存儲電容器的示例，但是本公開不限于此。在實施例中，像素電路PC可以包括七個薄膜晶體管和一個存儲電容器。在另一實施例中，像素電路PC可以包括兩個或更多個存儲電容器。 [0062] 圖3是根據(jù)實施例的顯示設(shè)備1的剖視圖。 [0063] 參照圖3，根據(jù)實施例的顯示設(shè)備1包括基底100、設(shè)置在基底100上的像素電極 180、設(shè)置在像素電極180上的像素限定層191以及設(shè)置在像素限定層191上的拒液層192，其中，像素限定層191具有使像素電極180的中心部分暴露的開口，其中，拒液層192具有具備凹凸結(jié)構(gòu)的上表面。 [0064] 基底100可以包括玻璃或聚合物樹脂。聚合物樹脂可以是包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纖維素(CAP)中的至少一種的透明聚合物樹脂。包括聚合物樹脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可彎曲的。基底100可以具有包括包含聚合物樹脂的層和無機(jī)層的多層結(jié)構(gòu)(未示出)。 [0065] 緩沖層110設(shè)置在基底100上，并且在防止雜質(zhì)從基底100滲透的同時使基底100的上表面平坦化。緩沖層110可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一種。 [0066] 有源層120設(shè)置在緩沖層110上。有源層120可以包括氧化物半導(dǎo)體和/或硅半導(dǎo)體。當(dāng)有源層120包括氧化物半導(dǎo)體時，有源層120可以包括包含但不限于銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鋯(Zr)、釩(V)、鉿(Hf)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鈦(Ti)和鋅(Zn)的材料的氧化物。 例如，有源層120可以包括銦錫鋅氧化物(InSnZnO，ITZO)有源層、銦鎵鋅氧化物(InGaZnO，IGZO)有源層等。當(dāng)有源層120包括硅半導(dǎo)體時，有源層120可以包括非晶硅(a?Si)或低溫多晶硅(LTPS)。 [0067] 第一絕緣層130設(shè)置在緩沖層110上，覆蓋有源層120。柵電極140設(shè)置在第一絕緣層130上，與有源層120的至少一部分疊置。例如，柵電極140可以具有包括一種或更多種金屬的單層或多層結(jié)構(gòu)，所述一種或更多種金屬選自于鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)。柵電極140可以連接到向柵電極140提供電信號的柵極線(未示出)。 [0068] 第二絕緣層150設(shè)置在第一絕緣層130上，覆蓋柵電極140。源電極160和/或漏電極 161設(shè)置在第二絕緣層150上。源電極160和/或漏電極161可以經(jīng)由形成在第二絕緣層150和第一絕緣層130中的相應(yīng)的接觸孔電連接到有源層120。 [0069] 第三絕緣層170設(shè)置在第二絕緣層150上。在圖3中，第三絕緣層170被示出為具有單層結(jié)構(gòu)，但在其他實施例中，第三絕緣層170可以具有多層結(jié)構(gòu)。第三絕緣層170使像素電路PC的上表面平坦化，從而使其上將形成有機(jī)發(fā)光二極管OLED的表面平坦化。