[0070] 第三絕緣層170可以包括常規(guī)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟化物類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物和/或它們的共混物，常規(guī)的通用聚合物包括但不限于苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)。在實施例中，第三絕緣層170可以包括有機材料和無機材料。 [0071] 像素電極180設置在第三絕緣層170上。像素電極180可以是(半)透射電極或反射電極。像素電極180可以經(jīng)由形成在第三絕緣層170中的接觸孔電連接到像素電路PC(例如，漏電極161)。 [0072] 在實施例中，像素電極180可以包括反射層以及設置在反射層上的透明電極層或半透明電極層，反射層包括但不限于Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它們的混合物。透明電極層或半透明電極層可以包括包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵和氧化鋁鋅(AZO)中的至少一種的電極材料。例如，像素電極180可以包括包含ITO/Ag/ITO的堆疊結構。 [0073] 像素限定層191設置在像素電極180上。像素限定層191具有與發(fā)光區(qū)域AA對應的開口以限定像素P的發(fā)光區(qū)域，所述開口使像素電極180的中心部分暴露。此外，像素限定層 191增大了像素電極180的邊緣與位于像素電極180上的對電極210之間的距離，從而防止在像素電極180的邊緣處產(chǎn)生電弧。像素限定層191可以包括諸如聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚醛樹脂的有機絕緣材料，并且可以通過旋涂來獲得。 [0074] 具有凹凸結構的上表面的拒液層192設置在像素限定層191上。拒液層192可以將拒液特性賦予非發(fā)光區(qū)域NAA，以使在制造工藝(例如，噴墨印刷工藝)期間發(fā)光材料被施用到發(fā)光區(qū)域AA而不被施用到非發(fā)光區(qū)域NAA。 [0075] 參照圖6和圖9，拒液層192可以包括包含第一拒液劑的第一拒液層193以及設置在第一拒液層193上的包含第二拒液劑的第二拒液層194。這里，包括在第一拒液層193中的第一拒液劑和包括在第二拒液層194中的第二拒液劑具有彼此不同的表面能，并且第一拒液劑的表面能可以比第二拒液劑的表面能大。例如，相對于有機材料，可以包含2重量百分比(wt％)至5wt％的具有相對較高的表面能的第一拒液劑，并且相對于有機材料，可以包含 0.5wt％至1wt％的第二拒液劑。 [0076] 第一拒液層193的第一拒液劑和第二拒液層194的第二拒液劑可以均具有15達因/厘米(dyne/cm)或更小的表面能，并且第一拒液劑的表面能可以比第二拒液劑的表面能大4達因/厘米至10達因/厘米。 [0077] 包括在拒液層192中的拒液劑(例如，第一拒液劑和第二拒液劑)可以包括其中氟化合物被固定在有機材料(諸如，聚酰亞胺)中的聚合材料。聚合材料可以具有主鏈和側鏈，并且可以具有8000至20000的分子量。聚合材料可以具有20％至30％的側鏈比，從而在增大高溫下的遷移率的同時將其玻璃化轉變溫度(Tg)降低至200℃或更低，以使拒液劑可以定位在像素限定層191上方。因此，在烘烤工藝期間，可以容易地將拒液劑定位在像素限定層 191上方。 [0078] 通常，可以經(jīng)由光致抗蝕劑層(未示出)的樹脂與拒液劑之間的交聯(lián)密度來調(diào)節(jié)玻璃化轉變溫度(Tg)，并且為了降低玻璃化轉變溫度(Tg)，可減小側鏈比以降低光致抗蝕劑層中的樹脂與拒液劑的交聯(lián)密度。 [0079] 圖4A至圖4C是示出根據(jù)實施例的顯示設備1中的拒液劑的側鏈比的圖。 [0080] 在圖4A中，四個側鏈中的僅一個具有丙烯酸酯反應體，因此可以獲得25％的側鏈。 在圖4B中，當丙烯酸酯前驅體與羥基(?OH)反應時，可以在丙烯酸酯前驅體的量被限制為?OH位點的50％或更少時獲得25％或更少的側鏈，并且可以在丙烯酸酯前驅體的量被限制為?OH位點的25％或更少時獲得12.5％或更少的側鏈。在圖4C中，側鏈比可以經(jīng)由m和n之間的比率來調(diào)節(jié)。例如，當m和n具有1:2或更大的比率時，可以獲得16.5％或更多的側鏈。 [0081] 根據(jù)實施例的顯示設備1，可以通過利用圖4A、圖4B和圖4C中的至少一種的組合來獲得拒液劑的20％至30％的側鏈，并且可以將聚合材料的玻璃化轉變溫度(Tg)降低至200℃或更低，因此，可以在烘烤工藝期間容易地將拒液劑定位在像素限定層191上方。