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顯示設(shè)備及制造該顯示設(shè)備的方法

專利號
CN111987237B
公開日期
2025-04-29
申請人
三星顯示有限公司(韓國京畿道龍仁市)
發(fā)明人
尹亨根; 李泓燃; 姜錫訓; 金熙羅; 樸秀智; 申范秀
IPC分類
H10K50/844; H10K71/00; H10K59/12; H10K50/84
技術(shù)領(lǐng)域
像素,電極,顯示設(shè)備,表面能,發(fā)光,顯示,有機,基底,凹凸,限定
地域:

摘要

提供了一種顯示設(shè)備及制造該顯示設(shè)備的方法。該顯示設(shè)備包括在等離子體照射之后在保持外圍層的拒液性質(zhì)的同時具有改善的可靠性的發(fā)光器件。該顯示設(shè)備包括:基底;像素電極,設(shè)置在基底上;像素限定層,設(shè)置在像素電極上并且具有使像素電極的中心部分暴露的開口;以及拒液層,設(shè)置在像素限定層上并且具有具備凹凸結(jié)構(gòu)的上表面。

說明書

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[0096] 在實施例中,當像素電極180是透明電極或半透明電極并且對電極210是反射電極時,從中間層200發(fā)射的光朝向基底100釋放。在這種情況下,顯示設(shè)備1可以是底發(fā)射型。然而,本公開不限于此,也就是說,根據(jù)實施例的顯示設(shè)備1可以是朝向前表面和后表面兩者發(fā)射光的雙發(fā)射型。 [0097] 圖7至圖11是示出根據(jù)實施例的制造顯示設(shè)備1的一些工藝的剖視圖。圖12是示出根據(jù)另一實施例的制造顯示設(shè)備1的一些工藝的剖視圖。圖13是示出根據(jù)另一實施例的制造顯示設(shè)備1的一些工藝的剖視圖。 [0098] 在下文中,將參照圖7至圖13以加工順序來描述制造顯示設(shè)備1的方法。 [0099] 參照圖7至圖11,根據(jù)實施例的制造顯示設(shè)備1的方法可以包括以下步驟:制備基底100;在基底100上形成像素電極180;在像素電極180上形成具有使像素電極180的中心部分暴露的開口的像素限定層191;以及在像素限定層191上形成拒液層192。拒液層192在其上表面上具有凹凸結(jié)構(gòu)。 [0100] 可以將用于形成基底100的基底組合物施用到載體基底(未示出)上??梢栽诙询B顯示設(shè)備1中的所有元件之后將載體基底與基底100分離。 [0101] 基底組合物可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、乙酸丙酸纖維素(CAP)等的前驅(qū)體組合物溶液。 [0102] 在制備基底100的步驟中,可以將基底組合物施用到載體基底上并使基底組合物固化以形成基底100。例如,可以使聚酰胺酸組合物溶液固化,以形成聚酰亞胺(PI)基底。 [0103] 參照圖7,可以在基底100上形成緩沖層110、有源層120、第一絕緣層130、柵電極 140、第二絕緣層150、源電極160、漏電極161、第三絕緣層170、像素電極180以及具有使像素電極180的中心部分暴露的開口的像素限定層191(見圖8)。可以通過本領(lǐng)域公知的一個或更多個光刻工藝來執(zhí)行以上工藝,因此,省略了它們的詳細描述。 [0104] 在形成像素限定層191之后,可以在像素限定層191上形成拒液層192。拒液層192具有具備凹凸結(jié)構(gòu)的上表面。拒液層192可以將拒液特性賦予非發(fā)光區(qū)域NAA,以使在噴墨印刷工藝期間發(fā)光材料不被施用到非發(fā)光區(qū)域NAA。 [0105] 形成拒液層192的步驟可以包括:將像素限定層191的有機材料與第一拒液劑和第二拒液劑混合,其中,第一拒液劑和第二拒液劑可以具有不同的表面能;使像素限定層191與第一拒液劑和第二拒液劑相(phase)分離,以使第一拒液劑和第二拒液劑形成在像素限定層191上方;照射等離子體以從像素電極180的上表面去除拒液的殘留層181;以及在等離子體清洗工藝之后烘烤像素限定層191。 [0106] 返回參照圖7,可以通過使用用于形成像素限定層191的有機材料與具有彼此不同的表面能的第一拒液劑和第二拒液劑的混合物來在像素電極180上設(shè)置有機材料層190。有機材料層190是其中混合有光致抗蝕劑材料、有機材料、第一拒液劑和第二拒液劑的層,并且可以用作限定像素區(qū)域的像素限定層191。 [0107] 在與用于形成像素限定層191的有機材料混合的第一拒液劑和第二拒液劑之間,第一拒液劑的表面能可以比第二拒液劑的表面能大。在一個實施例中,相對于有機材料,可以包含2wt%至5wt%的具有相對較高的表面能的第一拒液劑,并且相對于有機材料,可以包含0.5wt%至1wt%的具有相對較低的表面能的第二拒液劑。 [0108] 第一拒液層193的第一拒液劑和第二拒液層194的第二拒液劑可以均具有15達因/厘米或更小的表面能,并且第一拒液劑的表面能可以比第二拒液劑的表面能大4達因/厘米至10達因/厘米。 [0109] 拒液層192可以包括其中氟化合物被固定在有機材料(諸如,聚酰亞胺)中的聚合材料。聚合材料可以具有主鏈和側(cè)鏈,并且可以具有8000至20000的分子量。聚合材料可以具有20%至30%的側(cè)鏈比,從而在增大高溫下的遷移率的同時將其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)降低至200℃或更低,以使拒液劑可以定位在像素限定層191上方。因此,在烘烤工藝期間,拒液劑可以容易地定位在像素限定層191上方。 [0110] 在將用于形成像素限定層191的有機材料與第一拒液劑和第二拒液劑混合之后,烘烤有機材料層190,可以使像素限定層191、第一拒液劑和第二拒液劑相分離,從而使第一拒液劑和第二拒液劑向上移動到像素限定層191上。

權(quán)利要求

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