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顯示設(shè)備及制造該顯示設(shè)備的方法

專利號(hào)
CN111987237B
公開日期
2025-04-29
申請(qǐng)人
三星顯示有限公司(韓國(guó)京畿道龍仁市)
發(fā)明人
尹亨根; 李泓燃; 姜錫訓(xùn); 金熙羅; 樸秀智; 申范秀
IPC分類
H10K50/844; H10K71/00; H10K59/12; H10K50/84
技術(shù)領(lǐng)域
像素,電極,顯示設(shè)備,表面能,發(fā)光,顯示,有機(jī),基底,凹凸,限定
地域:

摘要

提供了一種顯示設(shè)備及制造該顯示設(shè)備的方法。該顯示設(shè)備包括在等離子體照射之后在保持外圍層的拒液性質(zhì)的同時(shí)具有改善的可靠性的發(fā)光器件。該顯示設(shè)備包括:基底;像素電極,設(shè)置在基底上;像素限定層,設(shè)置在像素電極上并且具有使像素電極的中心部分暴露的開口;以及拒液層,設(shè)置在像素限定層上并且具有具備凹凸結(jié)構(gòu)的上表面。

說明書

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[0111] 參照?qǐng)D8,在相分離工藝中,烘烤有機(jī)材料層190,從而可以使第一拒液劑和第二拒液劑移動(dòng)到像素限定層191上,并且使具有相對(duì)較低的表面能的第二拒液劑移動(dòng)到第一拒液劑上,以使包括第一拒液劑的第一拒液層193和包括第二拒液劑的第二拒液層194可以彼此豎直分離。 [0112] 此外,在相分離工藝中,因?yàn)榈谝痪芤簞┑谋砻婺鼙鹊诙芤簞┑谋砻婺艽?,所以第二拒液劑移?dòng)到第一拒液劑上(豎直分離),并且由于馬蘭戈尼效應(yīng)而部分地發(fā)生了橫向分離。圖9示出了圖8中的區(qū)域A的放大圖。由于豎直分離和橫向分離,拒液層192可以在包括第一拒液劑的第一拒液層193與包括第二拒液劑的第二拒液層194之間的邊界表面中具有凹凸結(jié)構(gòu)。形成在第一拒液層193與第二拒液層194之間的邊界表面中的凹凸結(jié)構(gòu)可以具有包括重復(fù)地布置的凸部195和凹部196的圖案。凸部195的寬度W1可以為大約0.01μm至大約3μm,并且凹部196的寬度W2可以為大約0.01μm至大約3μm。 [0113] 參照?qǐng)D10,當(dāng)形成像素限定層191和拒液層192時(shí),會(huì)在像素電極180的上表面上殘留殘留層181。殘留在像素電極180的上表面上的殘留層181會(huì)影響包括形成在像素電極180與對(duì)電極210之間的電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)和發(fā)射層(EML)的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的發(fā)光效率和壽命。因此,可以通過在等離子體清洗工藝期間向殘留在像素電極180的上表面上的殘留層181照射等離子體P來將其去除。然而,形成在像素限定層191上的拒液層 192也會(huì)被用于從像素電極180的上表面去除殘留層181的等離子體P去除,因此,拒液特性會(huì)劣化。 [0114] 在根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備1中,第二拒液劑用作犧牲層。因此,即使在用于從像素電極180的上表面去除殘留層181的等離子體清洗工藝之后,拒液層192也保留在像素限定層191上,并且由于保留在像素限定層191上的拒液層192,拒液特性可以保持。 [0115] 參照?qǐng)D5A和圖5B,因?yàn)橛捎隈R蘭戈尼效應(yīng),橫向分離可以部分地發(fā)生在拒液層192上,并且在用于從像素電極180的上表面去除殘留層181的等離子體清洗工藝中至少部分地去除了像素限定層191上的第二拒液劑,因此,可以在第一拒液層193的上表面中形成凹凸結(jié)構(gòu)。第一拒液層193的上表面中的凹凸結(jié)構(gòu)具有其中重復(fù)地布置有凸部和凹部的圖案。凸部可以具有0.01μm至3μm的寬度,并且凹部可以具有0.01μm至3μm的寬度。因?yàn)樵诰芤簩?92的上表面中形成了凹凸結(jié)構(gòu),所以表面粗糙度可以增大到10nm與25nm之間的范圍,并且由于保留在像素限定層191上的拒液層192,拒液特性可以維持或改善。 [0116] 參照?qǐng)D11至圖13,根據(jù)去除像素限定層191上的第二拒液劑的程度,可以不同地獲得凹凸結(jié)構(gòu)。圖11示出了凹凸結(jié)構(gòu)可以僅具有第一拒液層193。圖12示出了凹凸結(jié)構(gòu)可以通過將第二拒液層194設(shè)置到第一拒液層193上來獲得??蛇x地,圖13示出了凹凸結(jié)構(gòu)可以包括部分地保留在第一拒液層193上的第二拒液層194。 [0117] 即使在照射等離子體以從像素電極180的上表面去除殘留層181之后,殘留層181也可能部分地殘留在像素電極180的上表面上。在這種情況下,可以另外地執(zhí)行烘烤工藝以去除殘留在像素電極180上的雜質(zhì)。此外,存在于像素限定層191中的拒液劑可以通過烘烤工藝而另外向上移動(dòng),因此,拒液層192可以如圖12中所示具有大約30nm至大約70nm的厚度t。 [0118] 參照?qǐng)D3和圖6,包括有機(jī)發(fā)光層的中間層200可以設(shè)置在像素電極180的經(jīng)由像素限定層191暴露的部分上,并且對(duì)電極210可以設(shè)置在中間層200上。與像素電極180不同,對(duì)電極210可以遍及多個(gè)像素P一體地設(shè)置。 [0119] 根據(jù)實(shí)施例,對(duì)電極210可以包括低反射層。因?yàn)閷?duì)電極210布置在發(fā)光區(qū)域AA中以及非發(fā)光區(qū)域NAA中,所以對(duì)電極210可以降低來自發(fā)光區(qū)域AA的光反射率,從而降低顯示設(shè)備1的總光反射率。 [0120] 薄膜封裝層(未示出)可以設(shè)置在對(duì)電極210上。薄膜封裝層可以包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層。在根據(jù)本公開的實(shí)施例的頂發(fā)射型的顯示設(shè)備1中,薄膜封裝層可以設(shè)置在有機(jī)發(fā)光二極管OLED上,并且從有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)射的光可以通過薄膜封裝層從外部可見。 [0121] 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù),外圍層的拒液特性會(huì)由于用于形成顯示設(shè)備的一些制造工藝而劣化。根據(jù)實(shí)施例,拒液層192可以包括具有彼此不同的表面能的第一拒液劑和第二拒液劑,因此,顯示設(shè)備1可以在保持外圍層(例如,像素限定層191)的拒液特性的同時(shí)具有改善的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的可靠性。

權(quán)利要求

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