28導(dǎo)通，所述光控元件31通電后能夠透過環(huán)境光或發(fā)光。因此，本申請(qǐng)的微流控芯片1可以通過觀察光控元件31是否透光或發(fā)光來確定待分析液滴2的位置，實(shí)現(xiàn)了微流控芯片1實(shí)時(shí) 檢測(cè)待分析液滴2的位置。 [0072] 請(qǐng)參閱圖2，圖2為本申請(qǐng)第二種實(shí)施例公開的微流控芯片的層結(jié)構(gòu)示意圖。第二 實(shí)施例的微流控芯片與第一實(shí)施例的微流控芯片的區(qū)別點(diǎn)在于：第二實(shí)施例的微流控芯片 的一個(gè)光控元件31可以與多個(gè)第二極28電連接。第二實(shí)施例的微流控芯片與第一實(shí)施例的 微流控芯片在結(jié)構(gòu)上相同之處的描述，請(qǐng)參閱第一實(shí)施例的微流控芯片的相關(guān)描述，在此 不再贅述。 [0073] 本申請(qǐng)實(shí)施方式中，一個(gè)光控元件31設(shè)置于保護(hù)層29的多個(gè)過孔29a內(nèi)以及所述 保護(hù)層29背對(duì)第一基底21的表面。具體地，一個(gè)光控元件31的第一電極311設(shè)置于保護(hù)層29的多個(gè)過孔29a內(nèi)以及保護(hù)層29背對(duì)第一基底21的表面。一個(gè)光控元件31的電致變色體312 設(shè)置于保護(hù)層29的多個(gè)過孔29a內(nèi)以及第一電極311背對(duì)保護(hù)層29的表面。 [0074] 本申請(qǐng)實(shí)施方式中，電源向多個(gè)第一極27提供的電位不相同，即多個(gè)第一極27的 電位不相同。其中，多個(gè)第一極27的電位不相同是指：多個(gè)晶體管的第二極28與一個(gè)光控元件31電連接，且與一個(gè)光控元件31電連接的該多個(gè)晶體管的第一極27的電位不同。 [0075] 請(qǐng)參閱圖2，以第一極27的數(shù)量為3個(gè)，3個(gè)第一極27分別為第一導(dǎo)電端27a、第二導(dǎo)電端27b與第三導(dǎo)電端27c舉例說明。第一導(dǎo)電端27a的電位大于第二導(dǎo)電端27b的電位，第 二導(dǎo)電端27b的電位大于第三導(dǎo)電端27c的電位。所述待分析液滴2位于第一導(dǎo)電端27a的下 方時(shí)、或者位于第二導(dǎo)電端27b的下方時(shí)、或者位于第三導(dǎo)電端27c的下方時(shí)，所述光控元件 31均與電源電連接，使得光控元件31均能夠透過環(huán)境光。由于第一導(dǎo)電端27a的電位大于第二導(dǎo)電端27b的電位，待分析液滴2在第一導(dǎo)電端27a的下方時(shí)光控元件31的電位大于待分 析液滴2在第二導(dǎo)電端27b的下方時(shí)光控元件31的電位，使得待分析液滴2在第一導(dǎo)電端27a 的下方時(shí)所述光控元件31透過的環(huán)境光的亮度大于待分析液滴2在第二導(dǎo)電端27b的下方 時(shí)光控元件31透過的環(huán)境光的亮度。由于第二導(dǎo)電端27b的電位大于第三導(dǎo)電端27c的電 位，所述待分析液滴2在第二導(dǎo)電端27b的下方時(shí)光控元件31的電位大于所述待分析液滴2 在第三導(dǎo)電端27c的下方時(shí)光控元件31的電位，使得待分析液滴2在第二導(dǎo)電端27b的下方 時(shí)光控元件31透過的環(huán)境光的亮度大于待分析液滴2在第三導(dǎo)電端27c的下方時(shí)光控元件 31透過的環(huán)境光的亮度。也即是，所述光控元件31的電位大小與透過自身的環(huán)境光的亮度 呈正比。 [0076] 可以理解地，將多個(gè)晶體管的第一極27的電位設(shè)置為不相同且一個(gè)光控元件31與 該多個(gè)晶體管的第二極28電連接，使得待分析液滴2在不同的第一極27下方時(shí)所述光控元 件31的電位均不相同，進(jìn)而所述光控元件31的亮度也不相同。因此，可以通過觀察不同光控元件31的亮度來確定所述待分析液滴2的位置。相較于多個(gè)第一極27的電位相同且一個(gè)光 控元件31與一個(gè)第二極28電連接，將多個(gè)晶體管的第一極27的電位設(shè)置為不相同且一個(gè)光 控元件31與該多個(gè)晶體管的第二極28電連接，可以減少光控元件31的數(shù)量，進(jìn)而節(jié)約了成 本。 [0077] 需要說明的是，第二種實(shí)施例的微流控芯片的光控元件31可以是一個(gè)或多個(gè)。當(dāng) 所述光控元件31為一個(gè)時(shí)，一個(gè)光控元件31與全部的第二極28電連接。當(dāng)所述光控元件31 為多個(gè)時(shí)，一個(gè)光控元件31可與全部的第二極28中至少兩個(gè)（多個(gè)）第二極28電連接。 [0078] 請(qǐng)參閱圖3與圖4，圖3為本申請(qǐng)第三實(shí)施例公開的微流控芯片的俯視結(jié)構(gòu)示意圖， 圖4為圖3所示的微流控芯片沿著I?I方向的剖面示意圖。第三實(shí)施例的微流控芯片與第一 實(shí)施例的微流控芯片的區(qū)別點(diǎn)在于：微流控芯片1的容置空間1a還容置有輔助液滴40。第三實(shí)施例的微流控芯片與第一實(shí)施例的微流控芯片在結(jié)構(gòu)上相同之處的描述，請(qǐng)參閱第一實(shí) 施例的微流控芯片的相關(guān)描述，在此不再贅述。 [0079] 本申請(qǐng)中，請(qǐng)參閱圖4，所述驅(qū)動(dòng)基板10包括第二基底11、驅(qū)動(dòng)電路層12、驅(qū)動(dòng)電極 13、開關(guān)電極14、第一介電層15、第一疏水層16與輔助電極17。所述驅(qū)動(dòng)電路層12設(shè)置于第二基底11朝向檢測(cè)基板20的表面，所述驅(qū)動(dòng)電極13、開關(guān)電極14與輔助電極17均設(shè)置于驅(qū) 動(dòng)電路層12背對(duì)第二基底11的表面，所述第一介電層15設(shè)置于驅(qū)動(dòng)電路層12背對(duì)第二基底 11的表面，且第一介電層15覆蓋驅(qū)動(dòng)電極13、開關(guān)電極14與輔助電極17，也即是，所述第一介電層15罩設(shè)第一介電層15、第一疏水層16與輔助電極17至驅(qū)動(dòng)電路層12。所述第一疏水 層16設(shè)置于第一介電層15背對(duì)驅(qū)動(dòng)電路層12的表面。