芯片測試裝置及方法 技術(shù)領(lǐng)域 [0001] 本發(fā)明涉及芯片檢測技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地，涉及一種芯片測試裝置及方法。 背景技術(shù) [0002] 在半導(dǎo)體芯片堆壘技術(shù)領(lǐng)域中，在芯片形成或出廠之前，需要對其相關(guān)性能進行 測試，從而實現(xiàn)對芯片的質(zhì)量檢測、分級和不良品篩選等。目前，芯片堆壘的方式多種多樣， 如HBM、Wide?IO或HMC等，在對此類芯片進行測試時，需要外部探針與芯片上的金屬凸點 Bump進行接觸，從而實現(xiàn)測試信號及測試結(jié)果的傳輸。 [0003] 但是，由于芯片上的各金屬凸點的尺寸微小并且比較脆弱，若采用現(xiàn)有的探針直 接對金屬凸點進行接觸測試，會導(dǎo)致金屬凸點的焊料端損傷，進而影響后續(xù)的接合工藝及 芯片性能，影響產(chǎn)品良率。 [0004] 因此，目前亟需一種芯片測試方案，能夠在實現(xiàn)芯片與測試信號導(dǎo)通的同時，防止 金屬凸點的焊料端受損，而影響芯片性能。 發(fā)明內(nèi)容 [0005] 鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種芯片測試裝置及方法，以解決現(xiàn)有芯片 測試方案存會導(dǎo)致芯片的焊料端損傷，從而影響芯片性能等問題。 [0006] 本發(fā)明提供的芯片測試裝置，包括：探針支架以及設(shè)置在所述探針支架上的測試 探針；其中，待檢測芯片的金屬凸點包括設(shè)置在芯片保護層上的支撐柱以及位于所述支撐 柱端部的焊料帽；所述測試探針為具有一開口端的腔體結(jié)構(gòu)，材質(zhì)包括記憶金屬；所述測試 探針的開口端在滿足預(yù)設(shè)條件時與所述支撐柱接觸導(dǎo)通，以使所述待檢測芯片與所述測試 探針通過所述支撐柱進行信號傳遞。 [0007] 此外，可選的技術(shù)方案是，還包括驅(qū)動所述探針支架或所述待檢測芯片運動的驅(qū) 動裝置；其中，在第一預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)時，所述測試探針的開口端打開，通過所述驅(qū)動裝置 使得所述測試探針運動至所述支撐柱的外側(cè)；在第二預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)時，所述測試探針的 開口端內(nèi)縮并夾緊所述支撐柱，所述焊料帽避讓在所述測試探針的內(nèi)部腔體內(nèi)；所述預(yù)設(shè) 條件為所述第二預(yù)設(shè)溫度范圍。 [0008] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述第一預(yù)設(shè)溫度的范圍為0 70℃；所述第二預(yù)設(shè)溫度 ~ 的范圍為大于70℃。 [0009] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述內(nèi)部腔體的橫截面為圓形結(jié)構(gòu)；并且，所述內(nèi)部腔 體與所述焊料帽的截面尺寸之差的范圍為0 50um。 ~ [0010] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述測試探針還包括與所述探針支架相連接的基礎(chǔ)部； 其中，在所述基礎(chǔ)部的外側(cè)設(shè)置有環(huán)繞所述測試探針設(shè)置的絕緣保護層。 [0011] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述開口端與所述基礎(chǔ)部之間通過傾斜側(cè)臂連接；在所 述第一預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)，所述開口端的尺寸大于所述焊料帽的尺寸。 [0012] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述基礎(chǔ)部的橫截面為矩形或方形。 [0013] 此外，可選的技術(shù)方案是，在所述芯片保護層上設(shè)置第一定位機構(gòu)，在所述測試探 針上設(shè)置第二定位機構(gòu)；其中，所述第一定位機構(gòu)和所述第二定位機構(gòu)用于配合對所述測 試探針及所述金屬凸點進行位置鎖定。 [0014] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述測試探針通過PCB板與外部測試系統(tǒng)連接，通過所 述測試系統(tǒng)對所述待檢測芯片進行測試。 [0015] 另一方面，本發(fā)明還提供一種芯片測試方法，利用上述的芯片測試裝置對待檢測 芯片進行測試，所述方法包括：通過驅(qū)動裝置將開口端處于打開狀態(tài)的測試探針移動至待 檢測芯片的金屬凸點的外側(cè)；控制所述開口端內(nèi)縮并與所述金屬凸點的支撐柱接觸導(dǎo)通， 通過所述支撐柱實現(xiàn)所述測試探針與所述待檢測芯片的導(dǎo)通；外部測試系統(tǒng)通過所述測試 探針實現(xiàn)對所述待檢測芯片的檢測。 [0016] 利用上述芯片測試裝置及方法，將測試探針設(shè)置為具有一開口端的腔體結(jié)構(gòu)，并 采用包含形狀可變的記憶金屬材料，使得測試探針的開口端在滿足預(yù)設(shè)條件的情況下與支 撐柱接觸導(dǎo)通，通過支撐柱實現(xiàn)測試探針與金屬凸點之間的導(dǎo)通，從而避免測試探針與焊 料帽的直接接觸，確保焊料帽的外形完整，避免由于焊料帽損傷導(dǎo)致的后續(xù)工藝及性能受 到影響。 [0017] 為了實現(xiàn)上述以及相關(guān)目的，本發(fā)明的一個或多個方面包括后面將詳細說明的特 征。下面的說明以及附圖詳細說明了本發(fā)明的某些示例性方面。然而，這些方面指示的僅僅 是可使用本發(fā)明的原理的各種方式中的一些方式。此外，本發(fā)明旨在包括所有這些方面以 及它們的等同物。 附圖說明 [0018] 通過參考以下結(jié)合附圖的說明，并且隨著對本發(fā)明的更全面理解，本發(fā)明的其它 目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。在附圖中： [0019] 圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的芯片測試裝置在第一狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖； [0020] 圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的芯片測試裝置在第二狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖； [0021] 圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例的芯片測試裝置仰視圖； [0022] 圖4為根據(jù)本發(fā)明實施例的芯片測試方法的流程圖。 [0023] 其中的附圖標(biāo)記包括：測試探針1、基礎(chǔ)部11、傾斜側(cè)臂12、開口端13、焊料帽21、支 撐柱22、芯片保護層3。

1.一種芯片測試裝置，其特征在于，包括：探針支架以及設(shè)置在所述探針支架上的測試探針；其中， 待檢測芯片的金屬凸點包括設(shè)置在芯片保護層上的支撐柱以及位于所述支撐柱端部的焊料帽； 所述測試探針為具有一開口端的腔體結(jié)構(gòu)，材質(zhì)包括記憶金屬； 所述測試探針的開口端在滿足預(yù)設(shè)條件時與所述支撐柱接觸導(dǎo)通，以使所述待檢測芯片與所述測試探針通過所述支撐柱進行信號傳遞；還包括驅(qū)動所述探針支架或所述待檢測芯片運動的驅(qū)動裝置；其中， 在第一預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)時，所述測試探針的開口端打開，通過所述驅(qū)動裝置使得所述測試探針運動至所述支撐柱的外側(cè)； 在第二預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)時，所述測試探針的開口端內(nèi)縮并夾緊所述支撐柱，所述焊料帽避讓在所述測試探針的內(nèi)部腔體內(nèi)； 所述預(yù)設(shè)條件為所述第二預(yù)設(shè)溫度范圍。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于， 所述第一預(yù)設(shè)溫度的范圍為0 70℃； ~ 所述第二預(yù)設(shè)溫度的范圍為大于70℃。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于， 所述內(nèi)部腔體的橫截面為圓形結(jié)構(gòu)；并且， 所述內(nèi)部腔體與所述焊料帽的截面尺寸之差的范圍為0 50um。 ~ 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于，所述測試探針還包括與所述探針支架相連接的基礎(chǔ)部；其中， 在所述基礎(chǔ)部的外側(cè)設(shè)置有環(huán)繞所述測試探針設(shè)置的絕緣保護層。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片測試裝置，其特征在于， 所述開口端與所述基礎(chǔ)部之間通過傾斜側(cè)臂連接； 在所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)，所述開口端的尺寸大于所述焊料帽的尺寸。 6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片測試裝置，其特征在于， 所述基礎(chǔ)部的橫截面為矩形或方形。 7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于， 在所述芯片保護層上設(shè)置第一定位機構(gòu)，在所述測試探針上設(shè)置第二定位機構(gòu)；其中，所述第一定位機構(gòu)和所述第二定位機構(gòu)用于配合對所述測試探針及所述金屬凸點進行定位。 8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于， 所述測試探針通過PCB板與外部測試系統(tǒng)連接，通過所述測試系統(tǒng)對所述待檢測芯片進行測試。 9.一種芯片測試方法，其特征在于，利用如權(quán)利要求1至8任一項所述的芯片測試裝置對待檢測芯片進行測試，所述方法包括： 通過驅(qū)動裝置將開口端處于打開狀態(tài)的測試探針移動至待檢測芯片的金屬凸點的外側(cè)； 控制所述開口端內(nèi)縮并與所述金屬凸點的支撐柱接觸導(dǎo)通，通過所述支撐柱實現(xiàn)所述測試探針與所述待檢測芯片的導(dǎo)通；