絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品 技術(shù)領(lǐng)域 [0001] 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品。 背景技術(shù) [0002] 半導(dǎo)體工藝設(shè)備在作業(yè)狀態(tài)時(shí)腔體內(nèi)部的等離子體放電會(huì)對(duì)腔體內(nèi)部的零部件形成腐蝕，因此，腔體內(nèi)部的零部件表面需要進(jìn)行表面改性，提高其抗蝕性能。 [0003] 采用等離子噴鍍技術(shù)能夠在材料表面形成致密的抗腐蝕鍍層，但，等離子噴鍍技術(shù)制備得到的鍍層由于材料及加工工藝的特性，不可避免的存在孔隙缺陷；孔隙缺陷會(huì)影響鍍層的抗蝕能力，因此，需監(jiān)控鍍層的孔隙率來(lái)改進(jìn)鍍層的加工工藝。 [0004] 現(xiàn)有的孔隙率測(cè)量方法采用金相檢測(cè)直接測(cè)量。由于金相檢測(cè)具有破壞性，因此只能設(shè)置對(duì)照組，并以對(duì)照組的數(shù)據(jù)反映鍍層孔隙率。但對(duì)照組數(shù)據(jù)僅代表部分樣本的孔隙率情況，無(wú)法涵蓋所有產(chǎn)品或產(chǎn)品的各個(gè)部位，這樣無(wú)法準(zhǔn)確反映產(chǎn)品整體鍍層的孔隙率狀況。 發(fā)明內(nèi)容 [0005] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，旨在不破壞鍍層的條件下快速方便地得到產(chǎn)品鍍層的孔隙率，以實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品的各部位鍍層進(jìn)行全面性檢測(cè)，檢測(cè)數(shù)據(jù)完整。 [0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的和其他優(yōu)點(diǎn)，本申請(qǐng)采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)： [0007] 第一方面，本申請(qǐng)一種絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，應(yīng)用于檢測(cè)絕緣介質(zhì)擊穿特性的測(cè)試裝置，所述方法包括： [0008] 提供多個(gè)樣品基材； [0009] 獲取所述樣品基材在低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下的第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率，建立所述孔隙率與所述第一放電電流數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的映射表并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中； [0010] 將待檢測(cè)樣品設(shè)置在相同的所述低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下進(jìn)行自持放電，獲取第二放電電流數(shù)據(jù)； [0011] 基于所述第二放電電流數(shù)據(jù)，通過(guò)查找所述映射表，獲得所述待檢測(cè)樣品相應(yīng)的孔隙率。 [0012] 根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，在所述獲取所述樣品基材在低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下的第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率的步驟之前，所述方法還包括： [0013] 獲取所述樣品基材的鍍層厚度； [0014] 基于所述鍍層厚度，通過(guò)鍍層厚度與孔隙長(zhǎng)度之間預(yù)設(shè)的比例系數(shù)，得到所述孔隙長(zhǎng)度； [0015] 基于所述孔隙長(zhǎng)度，將所述測(cè)試裝置的低氣壓設(shè)置在滿(mǎn)足湯遜放電的適配條件下； [0016] 在所述測(cè)試裝置中，將上電極與鍍層表面的接觸面積設(shè)置為大于設(shè)定的閾值，下電極與所述樣品基材接觸連通，以形成穩(wěn)定的均勻電場(chǎng)條件。 [0017] 根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，所述將所述測(cè)試裝置的低氣壓設(shè)置在滿(mǎn)足湯遜放電的適配條件下的步驟，還包括： [0018] 對(duì)所述測(cè)試裝置抽真空或者在抽真空時(shí)注入氮?dú)?，以形成低氣壓的氣壓環(huán)境。 [0019] 根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，所述獲取所述樣品基材在低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下的第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率的步驟，包括： [0020] 向所述測(cè)試裝置的上電極和下電極施加電壓，使所述樣品基材在所述低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下進(jìn)行自持放電，記錄第一放電電流數(shù)據(jù)； [0021] 采用金相檢測(cè)法測(cè)量所述樣品基材的鍍層的孔隙率并記錄。 [0022] 根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，所述建立所述孔隙率與所述第一放電電流數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的映射表并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中的步驟，包括： [0023] 在數(shù)據(jù)庫(kù)中創(chuàng)建對(duì)應(yīng)于不同的絕緣材料或鍍層厚度的數(shù)據(jù)庫(kù)表，所述數(shù)據(jù)庫(kù)表設(shè)置的字段包括：絕緣材料類(lèi)型、鍍層厚度、放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率； [0024] 在不同的絕緣材料或鍍層厚度下，所測(cè)得第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)庫(kù)表中，以形成所述孔隙率與所述第一放電電流數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的映射表。 [0025] 根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，所述提供多個(gè)樣品基材的步驟，包括： [0026] 采用不同的絕緣材料和工藝參數(shù)分別對(duì)各個(gè)所述樣品基材的表面進(jìn)行等離子噴鍍，在所述樣品基材的表面能夠形成不同的鍍層厚度，以使得所述樣品基材在低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下自持放電具有不同的電流及孔隙率。 [0027] 根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，所述樣品基材的鍍層厚度介于 200 1000μm之間。 ~ [0028] 第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括： [0029] 一個(gè)或多個(gè)處理器；以及存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令的存儲(chǔ)器，所述計(jì)算機(jī)程序指令在被執(zhí)行時(shí)使所述處理器執(zhí)行如上述任一種所述的絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法的步驟。 [0030] 第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序/指令，所述計(jì)算機(jī)程序/指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述任一種所述的絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法的步驟。

1.一種絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，其特征在于，應(yīng)用于檢測(cè)絕緣介質(zhì)擊穿特性的測(cè)試裝置，所述方法包括： 提供多個(gè)樣品基材； 獲取所述樣品基材在低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下的第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率，建立所述孔隙率與所述第一放電電流數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的映射表并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中； 所述建立所述孔隙率與所述第一放電電流數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的映射表并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中的步驟，包括： 在數(shù)據(jù)庫(kù)中創(chuàng)建對(duì)應(yīng)于不同的絕緣材料或鍍層厚度的數(shù)據(jù)庫(kù)表，所述數(shù)據(jù)庫(kù)表設(shè)置的字段包括：絕緣材料類(lèi)型、鍍層厚度、放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率； 在不同的絕緣材料或鍍層厚度下，所測(cè)得第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)庫(kù)表中，以形成所述孔隙率與所述第一放電電流數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的映射表； 將待檢測(cè)樣品設(shè)置在相同的所述低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下進(jìn)行自持放電，獲取第二放電電流數(shù)據(jù)； 基于所述第二放電電流數(shù)據(jù)，通過(guò)查找所述映射表，獲得所述待檢測(cè)樣品相應(yīng)的孔隙率。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，其特征在于，在所述獲取所述樣品基材在低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下的第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率的步驟之前，所述方法還包括： 獲取所述樣品基材的鍍層厚度； 基于所述鍍層厚度，通過(guò)鍍層厚度與孔隙長(zhǎng)度之間預(yù)設(shè)的比例系數(shù)，得到所述孔隙長(zhǎng)度； 基于所述孔隙長(zhǎng)度，將所述測(cè)試裝置的低氣壓設(shè)置在滿(mǎn)足湯遜放電的適配條件下； 在所述測(cè)試裝置中，將上電極與鍍層表面的接觸面積設(shè)置為大于設(shè)定的閾值，下電極與所述樣品基材接觸連通，以形成穩(wěn)定的均勻電場(chǎng)條件。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，其特征在于，所述將所述測(cè)試裝置的低氣壓設(shè)置在滿(mǎn)足湯遜放電的適配條件下的步驟，還包括： 對(duì)所述測(cè)試裝置抽真空或者在抽真空時(shí)注入氮?dú)猓孕纬傻蜌鈮旱臍鈮涵h(huán)境。 4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，其特征在于，所述獲取所述樣品基材在低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下的第一放電電流數(shù)據(jù)和孔隙率的步驟，包括： 向所述測(cè)試裝置的上電極和下電極施加電壓，使所述樣品基材在所述低氣壓、均勻電場(chǎng)條件下進(jìn)行自持放電，記錄第一放電電流數(shù)據(jù)； 采用金相檢測(cè)法測(cè)量所述樣品基材的鍍層的孔隙率并記錄。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣鍍層孔隙率測(cè)量方法，其特征在于，所述提供多個(gè)樣品基材的步驟，包括：