一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法、裝置、電子設備、存儲 介質(zhì) 技術領域 [0001] 本發(fā)明涉及模型優(yōu)化領域，特別是涉及一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法、裝置、電子設備、計算機可讀存儲介質(zhì)。 背景技術 [0002] 光刻技術是半導體制造工藝中的一項重要技術，光刻技術包括光刻膠涂覆、曝光以及顯影技術。負向顯影技術是解決特征尺寸較小而周期較大圖形的高保真度成像的關鍵技術，負向顯影所使用的光刻膠具有良好的粘附能力和阻擋作用，感光速度快，但是顯影時會發(fā)生變形和膨脹，負向顯影的熱收縮效應更為強烈，負顯影效應明顯，為了保證模型準確度，通常會使用更多光刻膠參數(shù)來進行模型校準。 [0003] 光刻膠模型的一致性在負顯影工藝過程中是評價光刻膠模型好壞的重要的標準。 目前光刻膠模型的一致性的控制方法，對光刻膠模型參數(shù)進行多次的參數(shù)搜索和訪問，并在每次參數(shù)搜索和訪問之后輸出一個表征值，然后從所有的表征值中選取處最小的表征值，作為最終的優(yōu)化結(jié)果。目前的這種方式僅在模型參數(shù)校準后進行驗證，無法從源頭上遏制一致性問題的產(chǎn)生，不確定性高，模型優(yōu)化周期可能會因此問題而加長。 [0004] 因此，如何解決上述技術問題應是本領域技術人員重點關注的。 發(fā)明內(nèi)容 [0005] 本發(fā)明的目的是提供一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法、裝置、電子設備、計算機可讀存儲介質(zhì)，以提升光刻膠模型的一致性，并縮短光刻膠模型的優(yōu)化和驗證周期。 [0006] 為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法，包括： [0007] 步驟S11：當對光刻膠模型中的模擬項參數(shù)進行當前代搜索和仿真后，對與所述光刻膠模型對應的測試圖形進行移位； [0008] 步驟S12：確定在所述測試圖形移位后與預設采樣點處的關鍵尺寸對應的光刻膠參數(shù)密度差； [0009] 步驟S13：根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預設密度差閾值的關系，確定代價函數(shù)的函數(shù)值； [0010] 步驟S14：對光刻膠模型中的模擬項參數(shù)進行下一代的搜索和仿真，并進入步驟S11，直至光刻膠模型中的模擬項參數(shù)進行搜索和仿真的代數(shù)等于預設代數(shù)閾值； [0011] 步驟S15：確定所有所述函數(shù)值中的最小值，并將最小的所述函數(shù)值作為光刻膠優(yōu)化最終結(jié)果。 [0012] 可選地，根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預設密度差閾值的關系，確定代價函數(shù)的函數(shù)值包括： [0013] 判斷所述光刻膠參數(shù)密度差是否大于所述預設密度差閾值； [0014] 若所述光刻膠參數(shù)密度差不大于所述預設密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸和實際測量關鍵尺寸，確定所述函數(shù)值； [0015] 若所述光刻膠參數(shù)密度差大于所述預設密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸、實際測量關鍵尺寸以及懲罰項參數(shù)，確定所述函數(shù)值。 [0016] 可選地，根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸和實際測量關鍵尺寸，確定所述函數(shù)值包括： [0017] 根據(jù)第一預設公式確定所述函數(shù)值，所述第一預設公式為： [0018] ； [0019] 式中，cost為函數(shù)值，CDs為所述測試圖形移位后在預設采樣點處的關鍵尺寸，CD0為所述測試圖形移位后在預設采樣點處的實際測量關鍵尺寸，i為預設采樣點。 [0020] 可選地，根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸、實際測量關鍵尺寸以及懲罰項參數(shù)，確定所述函數(shù)值包括： [0021] 根據(jù)第二預設公式確定所述函數(shù)值，所述第二預設公式為： [0022] ； [0023] 其中，penalty=penalty_coeffient×(term_intensity_variation?term_intensity_variation_Spec； [0024] 式中，cost為函數(shù)值，CDs為所述測試圖形移位后在預設采樣點處的關鍵尺寸，CD0為所述測試圖形移位后在預設采樣點處的實際測量關鍵尺寸，i為預設采樣點，penalty為懲罰項參數(shù)，term_intensity_variation為光刻膠參數(shù)密度差，term_intensity_variation_Spec為與一致性相關的參數(shù)；penalty_coeffient為懲罰程度。 [0025] 可選地，確定在所述測試圖形移位后與預設采樣點處的關鍵尺寸對應的光刻膠參數(shù)密度差包括： [0026] 在所述測試圖形移位不同位置處，確定與預設采樣點處的關鍵尺寸對應的光刻膠參數(shù)密度； [0027] 從所有所述光刻膠參數(shù)密度中確定最大光刻膠參數(shù)密度和最小光刻膠參數(shù)密度； [0028] 確定所述最大光刻膠參數(shù)密度和所述最小光刻膠參數(shù)密度的差值，作為所述光刻膠參數(shù)密度差。 [0029] 本發(fā)明還提供一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的裝置，包括：

1.一種優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法，其特征在于，包括： 步驟S11：當對光刻膠模型中的模擬項參數(shù)進行當前代搜索和仿真后，對與所述光刻膠模型對應的測試圖形進行移位； 步驟S12：確定在所述測試圖形移位后與預設采樣點處的關鍵尺寸對應的光刻膠參數(shù)密度差； 步驟S13：根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預設密度差閾值的關系，確定代價函數(shù)的函數(shù)值； 步驟S14：對光刻膠模型中的模擬項參數(shù)進行下一代的搜索和仿真，并進入步驟S11，直至光刻膠模型中的模擬項參數(shù)進行搜索和仿真的代數(shù)等于預設代數(shù)閾值； 步驟S15：確定所有所述函數(shù)值中的最小值，并將最小的所述函數(shù)值作為光刻膠優(yōu)化最終結(jié)果； 根據(jù)所述光刻膠參數(shù)密度差與預設密度差閾值的關系，確定代價函數(shù)的函數(shù)值包括： 判斷所述光刻膠參數(shù)密度差是否大于所述預設密度差閾值； 若所述光刻膠參數(shù)密度差不大于所述預設密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸和實際測量關鍵尺寸，確定所述函數(shù)值； 若所述光刻膠參數(shù)密度差大于所述預設密度差閾值，則根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸、實際測量關鍵尺寸以及懲罰項參數(shù)，確定所述函數(shù)值。 2.如權利要求1所述的優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法，其特征在于，根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸和實際測量關鍵尺寸，確定所述函數(shù)值包括： 根據(jù)第一預設公式確定所述函數(shù)值，所述第一預設公式為： ； 式中，cost為函數(shù)值，CDs為所述測試圖形移位后在預設采樣點處的關鍵尺寸，CD0為所述測試圖形移位后在預設采樣點處的實際測量關鍵尺寸，i為預設采樣點。 3.如權利要求1所述的優(yōu)化光刻膠模型一致性的方法，其特征在于，根據(jù)所述測試圖形移位后在預設采樣點處的所述關鍵尺寸、實際測量關鍵尺寸以及懲罰項參數(shù)，確定所述函數(shù)值包括： 根據(jù)第二預設公式確定所述函數(shù)值，所述第二預設公式為： ； 其中，penalty=penalty_coeffient×(term_intensity_variation? term_intensity_variation_Spec）；