芯片側(cè)推測(cè)試裝置及方法 技術(shù)領(lǐng)域 [0001] 本發(fā)明涉及芯片檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地，涉及一種芯片側(cè)推測(cè)試裝置及方法。 背景技術(shù) [0002] 在半導(dǎo)體芯片堆壘技術(shù)領(lǐng)域中，在芯片形成或出廠之前，需要對(duì)其相關(guān)性能進(jìn)行 測(cè)試，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的質(zhì)量檢測(cè)、分級(jí)和不良品篩選等。目前，芯片堆壘的方式多種多樣， 如HBM、Wide?IO或HMC等，在對(duì)此類(lèi)芯片進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需要外部探針與芯片上的金屬凸點(diǎn) Bump進(jìn)行接觸，從而實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)及測(cè)試結(jié)果的傳輸。 [0003] 但是，由于芯片上的各金屬凸點(diǎn)的尺寸微小并且比較脆弱，若采用現(xiàn)有的探針直 接對(duì)金屬凸點(diǎn)進(jìn)行接觸測(cè)試，會(huì)導(dǎo)致金屬凸點(diǎn)的焊料端損傷，且芯片與探針之間的定位誤 差也會(huì)導(dǎo)致探針與焊料端發(fā)生碰撞，進(jìn)而影響后續(xù)的接合工藝及芯片性能，影響產(chǎn)品良率。 [0004] 因此，目前亟需一種芯片測(cè)試方案，能夠在實(shí)現(xiàn)芯片與測(cè)試信號(hào)導(dǎo)通的同時(shí)，實(shí)現(xiàn) 二者之間的精確定位及有效接觸，防止金屬凸點(diǎn)的焊料端受損，而影響芯片性能。 發(fā)明內(nèi)容 [0005] 鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種芯片側(cè)推測(cè)試裝置及方法，以解決現(xiàn)有 芯片測(cè)試方案由于接觸測(cè)試及定位接觸原因所導(dǎo)致芯片的焊料端損傷，從而影響芯片性能 等問(wèn)題。 [0006] 本發(fā)明提供的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，包括：測(cè)試探針及設(shè)置在所述測(cè)試探針一側(cè)的 彈性支撐組件；其中，所述測(cè)試探針包括探針臂以及設(shè)置在所述探針臂端部的接觸端，所述 接觸端與待檢測(cè)芯片上的金屬凸點(diǎn)的支撐柱接觸導(dǎo)通；所述彈性支撐組件用于在所述接觸 端與所述支撐柱接觸的過(guò)程中，受力變形并產(chǎn)生對(duì)所述探針臂的側(cè)向推力；所述接觸端在 所述側(cè)向推力的輔助作用下與所述支撐柱對(duì)接，以使所述待檢測(cè)芯片與所述測(cè)試探針通過(guò) 所述支撐柱進(jìn)行信號(hào)傳遞。 [0007] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述彈性支撐組件包括設(shè)置在所述探針臂上的連接部、 設(shè)置在所述連接部下方的彈性變形部以及位于所述彈性變形部遠(yuǎn)離所述連接部一端的抵 接部；其中， [0008] 在所述測(cè)試探針下移過(guò)程中，所述抵接部預(yù)先與所述金屬凸點(diǎn)下的芯片保護(hù)層接 觸限位，所述彈性變形部在所述連接部和所述抵接部的擠壓下，向靠近所述芯片保護(hù)層上 的支撐柱一側(cè)產(chǎn)生變形。 [0009] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述彈性變形部為疊設(shè)的棱形結(jié)構(gòu)、鋸齒狀結(jié)構(gòu)或弧形 結(jié)構(gòu)；當(dāng)所述彈性變形部為弧形結(jié)構(gòu)時(shí)，所述弧形結(jié)構(gòu)向靠近所述支撐柱側(cè)彈性彎折。 [0010] 此外，可選的技術(shù)方案是，在所述彈性變形部的一側(cè)設(shè)置有推板； [0011] 當(dāng)所述彈性變形部發(fā)生形變時(shí)，所述推板用于推動(dòng)所述探針臂向所述支撐柱側(cè)運(yùn) 動(dòng)。 [0012] 此外，可選的技術(shù)方案是，在沿垂直于所述芯片保護(hù)層的豎直方向上，所述彈性變 形部在不同位置處的變形量不同，以使推板傾斜擠壓所述探針臂。 [0013] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述彈性支撐組件為絕緣件，且所述彈性支撐組件為一 體成型結(jié)構(gòu)。 [0014] 此外，可選的技術(shù)方案是，所述探針臂呈豎直分布、傾斜分布或者弧形分布；所述 接觸端呈水平分布或傾斜分布。 [0015] 此外，可選的技術(shù)方案是，在所述接觸端內(nèi)設(shè)置有貫穿所述接觸端設(shè)置的弧形卡 槽；所述弧形卡槽的形狀與所述支撐柱相適配，且所述弧形卡槽高度小于所述支撐柱的高 度。 [0016] 此外，可選的技術(shù)方案是，在所述測(cè)試探針內(nèi)部設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層用于將 所述測(cè)試探針隔離形成兩個(gè)測(cè)試端； [0017] 所述兩個(gè)測(cè)試端配合用于實(shí)現(xiàn)對(duì)所述待檢測(cè)芯片的開(kāi)爾文測(cè)試。 [0018] 另一方面，本發(fā)明還提供一種芯片測(cè)試方法，利用上述芯片側(cè)推測(cè)試裝置對(duì)待檢 測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試，所述方法包括： [0019] 調(diào)整測(cè)試探針與所述待檢測(cè)芯片之間的相對(duì)位置，使得所述測(cè)試探針的接觸端位 于支撐柱的一側(cè)，且彈性支撐組件的一端與所述金屬凸點(diǎn)下的芯片保護(hù)層相抵接； [0020] 控制所述測(cè)試探針繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)，所述彈性支撐組件受力變形，并產(chǎn)生對(duì)探針臂 側(cè)的側(cè)向推力； [0021] 在所述側(cè)向推力的輔助作用下，所述測(cè)試探針的接觸端與所述支撐柱接觸導(dǎo)通； [0022] 通過(guò)測(cè)試探針向所述待檢測(cè)芯片發(fā)送測(cè)試信號(hào)，通過(guò)所述測(cè)試信號(hào)完成對(duì)所述待 檢測(cè)芯片的測(cè)試。 [0023] 利用上述芯片側(cè)推測(cè)試裝置及方法，在測(cè)試探針的一側(cè)設(shè)置彈性支撐組件，在接 觸端與支撐柱接觸的過(guò)程中，彈性支撐組件能夠受擠壓力產(chǎn)生變形，并通過(guò)變形產(chǎn)生對(duì)探 針臂的側(cè)向推力，能夠確保測(cè)試探針在測(cè)試過(guò)程中，其接觸端在側(cè)向推力的輔助作用下與 支撐柱進(jìn)行有效的接觸導(dǎo)通，不僅能夠避免測(cè)試探針與焊料帽的直接接觸，確保焊料帽的 外形完整，避免由于焊料帽損傷導(dǎo)致的后續(xù)工藝及性能受到影響，還可確保測(cè)試過(guò)程中接 觸的有效性，提高測(cè)試的準(zhǔn)確度。 [0024] 為了實(shí)現(xiàn)上述以及相關(guān)目的，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面包括后面將詳細(xì)說(shuō)明的特 征。下面的說(shuō)明以及附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的某些示例性方面。然而，這些方面指示的僅僅

1.一種芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于，包括測(cè)試探針及設(shè)置在所述測(cè)試探針一側(cè)的彈性支撐組件；其中， 所述測(cè)試探針包括探針臂以及設(shè)置在所述探針臂端部的接觸端，所述接觸端與待檢測(cè)芯片上的金屬凸點(diǎn)的支撐柱接觸導(dǎo)通； 所述彈性支撐組件用于在所述接觸端與所述支撐柱接觸的過(guò)程中，受力變形并產(chǎn)生對(duì)所述探針臂的側(cè)向推力； 所述接觸端在所述側(cè)向推力的輔助作用下與所述支撐柱對(duì)接，以使所述待檢測(cè)芯片與所述測(cè)試探針通過(guò)所述支撐柱進(jìn)行信號(hào)傳遞； 所述彈性支撐組件包括設(shè)置在所述探針臂上的連接部、設(shè)置在所述連接部下方的彈性變形部以及位于所述彈性變形部遠(yuǎn)離所述連接部一端的抵接部；其中，在所述測(cè)試探針下移過(guò)程中，所述抵接部預(yù)先與所述金屬凸點(diǎn)下的芯片保護(hù)層接觸限位，所述彈性變形部在所述連接部和所述抵接部的擠壓下，向靠近所述芯片保護(hù)層上的支撐柱一側(cè)產(chǎn)生變形。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于， 所述彈性變形部為疊設(shè)的棱形結(jié)構(gòu)、鋸齒狀結(jié)構(gòu)或弧形結(jié)構(gòu)； 當(dāng)所述彈性變形部為弧形結(jié)構(gòu)時(shí)，所述弧形結(jié)構(gòu)向靠近所述支撐柱側(cè)彈性彎折。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于， 在所述彈性變形部的一側(cè)設(shè)置有推板； 當(dāng)所述彈性變形部發(fā)生形變時(shí)，所述推板用于推動(dòng)所述探針臂向所述支撐柱側(cè)運(yùn)動(dòng)。 4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于， 在沿垂直于所述芯片保護(hù)層的豎直方向上，所述彈性變形部在不同位置處的變形量不同，以使所述推板傾斜擠壓所述探針臂。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于， 所述彈性支撐組件為絕緣件，且所述彈性支撐組件為一體成型結(jié)構(gòu)。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于， 所述探針臂呈豎直分布、傾斜分布或者弧形分布； 所述接觸端呈水平分布或傾斜分布。 7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于， 在所述接觸端內(nèi)設(shè)置有貫穿所述接觸端設(shè)置的弧形卡槽； 所述弧形卡槽的形狀與所述支撐柱相適配，且所述弧形卡槽的高度小于所述支撐柱的高度。 8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置，其特征在于， 在所述測(cè)試探針內(nèi)部設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層用于將所述測(cè)試探針隔離形成兩個(gè)測(cè)試端； 所述兩個(gè)測(cè)試端配合用于實(shí)現(xiàn)對(duì)所述待檢測(cè)芯片的開(kāi)爾文測(cè)試。 9.一種芯片測(cè)試方法，其特征在于，利用如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的芯片側(cè)推測(cè)試裝置對(duì)待檢測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試，所述方法包括：