[0018] 本發(fā)明還公開一種如上述的晶圓級芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其包括以下步驟： [0019] 步驟S1：制備多個晶圓； [0020] 步驟S2：分別在不同晶圓上制備CPU模塊的晶粒、功能模塊的晶粒以及硅中介層； [0021] 步驟S3：在晶粒和硅中介層的引腳位置開設(shè)硅通孔； [0022] 步驟S4：在硅通孔處涂覆第一絕緣層； [0023] 步驟S5：對硅通孔內(nèi)的第一絕緣層進行修整并涂覆第二絕緣層，然后插入預(yù)先制備好的金屬芯，將金屬芯的中間部分和硅中介層的表面電路進行電性連接，將金屬芯的兩端和晶粒表面電路進行電性連接； [0024] 步驟S6：對硅中介層和晶粒進行功能檢測； [0025] 步驟S7：對晶圓上的晶粒和硅中介層進行切分； [0026] 步驟S8：將硅中介層焊接于基板上，將CPU模塊和功能模塊焊接于硅中介層上，然后采用環(huán)氧樹脂進行填充。 [0027] 通過上述技術(shù)方案，采用涂覆第一絕緣層后插入預(yù)制的金屬芯的方式完成硅通孔內(nèi)的金屬填充，可以有效控制金屬芯的直徑和緊密度，從而獲得更穩(wěn)定的電信號傳輸效果。 [0028] 在本發(fā)明中，上述步驟S4還包括以下步驟： [0029] 步驟S41：將晶圓放置入真空爐內(nèi)，抽真空后通過機械手對硅通孔處涂覆硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料以及硫化劑，向真空爐內(nèi)通入惰性氣體使硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料于硅通孔充分接觸，待硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料定型后將晶圓取出真空爐。 [0030] 通過上述技術(shù)方案，采用真空環(huán)境下的涂覆方式使第一絕緣層充分和硅通孔進行結(jié)合，避免出現(xiàn)氣隙影響導(dǎo)熱效率。 附圖說明 [0031] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。 [0032] 圖1為本發(fā)明實施例提供的晶圓級芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)的示意圖； [0033] 圖2為圖1中A處的局部放大圖； [0034] 圖3為本發(fā)明實施例提供的第三晶粒的結(jié)構(gòu)示意圖； [0035] 圖4為圖3中B處的局部放大圖。 [0036] 圖標：1?硅中介層；101?第一連接球；102?第一硅通孔；2?CPU模塊；201?第四晶粒； 202?第三晶粒；203?第二晶粒；204?第一晶粒；205?第二硅通孔；206?第二連接球；207?第一絕緣層；208?金屬芯；209?緩沖腔；210?第二絕緣層；3?功能模塊；301?第三連接球；401?邏輯單元；4011?引腳；4012?導(dǎo)線；4013?邏輯導(dǎo)線；402?寄存器；403?控制器；404?時鐘；5?基板。 具體實施方式 [0037] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行詳細描述。 [0038] 術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。 [0039] 在本發(fā)明的描述中，還需要說明的是，附圖僅為不同結(jié)構(gòu)的相對位置關(guān)系的說明，不代表實際電路布線。 [0040] 實施例： [0041] 請參照圖1至圖4，圖1至圖4所示為本發(fā)明的一種實施例。 [0042] 本實施例提供一種晶圓級芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，如圖1和圖2所示，包括依次連接的CPU模塊2、硅中介層1和基板5，還包括第一硅通孔102、金屬芯208以及第一絕緣層207，若干第一硅通孔102開設(shè)于硅中介層1，第一硅通孔102的開口處開設(shè)有緩沖腔209；金屬芯208填充于第一硅通孔102內(nèi)，CPU模塊2通過金屬芯208與基板5和硅中介層1上蝕刻的電路電性連接；第一絕緣層207填充于第一硅通孔102與金屬芯208之間不包括緩沖腔209的一段，第一絕緣層207具有熱塑性。 [0043] 使用時，預(yù)留出的緩沖腔209用于容納受金屬芯208熱膨脹擠壓后溢出的第一絕緣層207。 [0044] 通過上述技術(shù)方案，采用具有熱塑性的第一絕緣層207，當金屬芯208在芯片運行時因為大量發(fā)熱導(dǎo)致出現(xiàn)熱膨脹之后，具有熱塑性的第一絕緣層207受到擠壓可以變形減薄，避免硅中介層1和金屬芯208因為熱膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)漲裂而出現(xiàn)損壞。 [0045] 作為一種較優(yōu)的實施方式，上述第一絕緣層207為硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料。 [0046] 需要說明的是，第一絕緣層207采用硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料，不僅僅是利用其絕緣性和導(dǎo)熱性，更主要的是利用硅橡膠的熱塑性以相應(yīng)金屬芯208的熱變形，避免金屬芯 208的熱變形引起芯片的損壞。

步驟S2：分別在不同晶圓上制備CPU模塊的晶粒、功能模塊的晶粒以及硅中介層； 步驟S3：在晶粒和硅中介層的引腳位置處開設(shè)硅通孔； 步驟S4：在硅通孔處涂覆第一絕緣層； 步驟S5：對硅通孔內(nèi)的第一絕緣層進行修整并涂覆第二絕緣層，然后插入預(yù)先制備好的金屬芯，將金屬芯的中間部分和硅中介層的表面電路進行電性連接，將金屬芯的兩端和晶粒表面電路進行電性連接； 步驟S6：對硅中介層和晶粒進行功能檢測； 步驟S7：對晶圓上的晶粒和硅中介層進行切分； 步驟S8：將硅中介層焊接于基板上，將CPU模塊和功能模塊焊接于硅中介層上，然后采用環(huán)氧樹脂進行填充。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓級芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，所述步驟S4還包括以下步驟： 步驟S41：將晶圓放置入真空爐內(nèi)，抽真空后通過機械手對硅通孔處涂覆硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料以及硫化劑，向真空爐內(nèi)通入惰性氣體使硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料與硅通孔充分接觸，待硅橡膠和氮化硼復(fù)合材料定型后將晶圓取出真空爐。