[0031] 請參閱圖1，在本發(fā)明的一個實施例中，對于不同的待測存儲器而言，其生產廠家可能是不同的，其型號也可能并不一致。因此，需要將待測存儲器連接到適配的測試板1上以完成對待測存儲器10的固件RPMB處理能力測試。在本實施例中，測試板1的數量可以為至少一個（如圖1所示），每個測試板1的通信接口上都可通信連接一個待測存儲器。因此，待測存儲器的數量也可為至少一個，待測存儲器的數量不超過測試板1的數量。在本實施例中，以測試板1的數量為四個（未圖示）、待測存儲器的數量為四個為例進行說明。四個測試板1上的通信接口可分別表示為Socket1、Socket2、Socket3以及Socket4。四個待測存儲器可分別表示為eMMC?Vendor1、eMMC?Vendor2、eMMC?Vendor3以及eMMC?Vendor4。通過多個待測存儲器與多個測試板1的連接，可以同時完成多個待測存儲器10的固件RPMB處理能力測試。 [0032] 請參閱圖1至圖2，本發(fā)明提供的一種存儲裝置的測試系統(tǒng)，在對待測存儲器10的固件RPMB處理能力測試時，通過測試板1與待測存儲器10通信連接，以配置對應的測試參數。也就是說，在測試板1上電運行后，先通過UI界面7確認其與測試板1之間連接正常。再根據Socket（測試座，用于放置eMMC顆粒）內MMC廠家及Density（單位長度內所存儲的二進制信息量）選擇對應的Speed（速度）、Bus?Width（總線長度）、Voltage（電壓）、Temperature?Configuration（溫度配置），已完成對測試環(huán)境的配置。 [0033] 在本發(fā)明的一實施例中，通過處理器2與測試板1通信連接。且處理器2被配置為： 在將消息數據寫入至待測存儲器10前，使其生成發(fā)生不同讀寫校驗錯誤的多個待測信息值，且再將各待測信息值依次寫入至待測存儲器10中的重放保護內存塊111，以進行將各待測信息值至待測存儲器10的讀寫測試，得到測試結果。 [0034] 在本實施例中，測試板1上電運行后，通過處理器2與測試板1建立通信連接，以進行待測存儲器10的固件RPMB處理能力測試。具體地，通過處理器2將待測信息值寫入到待測存儲器10中，以進行讀寫測試，進而確定待測信息值是否能夠得到對應的讀寫校驗錯誤的測試結果。該待測信息值可以為在將消息數據（message）寫入至待測存儲器10的重放保護內存塊（RPMB）111中時，通過處理器2的設置處理，使該消息數據生成不同的待測信息值，并將該待測信息值寫入至待測存儲器10的重放保護內存塊111中，以此完成對待測存儲器10的讀寫測試，確定待測存儲器10是否與處理器2中的讀寫校驗錯誤相對應的測試結果。 [0035] 在本發(fā)明的一實施例中，處理器2還被配置為在讀寫測試完成后，更改測試板1的測試參數，并在更改后的測試參數下重新進行將各待測信息值至待測存儲器10的讀寫測試，直至完成對所有測試參數下將各待測信息值至待測存儲器10的讀寫測試。 [0036] 在本實施例中，處理器2在依次將各待測信息值寫入至待測存儲器10中的重放保護內存塊111，即進行了依次將每個待測信息值在待測存儲器10中的讀寫測試，進而得到測試/讀寫結果。并且在當前測試板1的測試參數下，完成了對所有待測信息值測試后，通過改變測試板1的測試參數，再依次將各待測信息值重新寫入重放保護內存塊111，從而執(zhí)行將各待測信息值分別至待測存儲器10的讀寫測試；如此重復操作，直至完成測試板1的所有測試參數的更改測試。所有測試配置的測試包括更改測試板1的測試參數的測試配置、以及利用不同的待測信息值進行待測存儲器1的讀寫測試的測試配置。更改測試板1的測試參數的測試配置，可以包括重新根據MMC廠家及Density（單位長度內所存儲的二進制信息量、或稱容量大小）選擇不同的Speed（速度模式）、Bus?Width（總線長度）、Voltage（電壓）、Temperature?Configuration（溫度配置），從而可以方便替換成不同廠家及容量大小的eMMC產品。 [0037] 請參閱圖2，在本發(fā)明的一實施例中，當利用待測信息值進行待測存儲器的讀寫測試時，還需要設置能夠完成正確讀寫校驗的預設信息值，以相同的方式寫入到待測存儲器 10中進行讀寫測試。具體地，處理器2在處理時被配置為：在將消息數據寫入至待測存儲器 10前，使其生成完成正確讀寫校驗的預設信息值，將預設信息值進行向重放保護內存塊111的讀寫，并將預設信息值與待測信息值在/對待測存儲器10的讀寫進行測試比較，得到測試結果。 [0038] 在本實施例中，在將消息數據寫入至待測存儲器10時，處理器2還會根據消息數據生成與待測信息值相對應的預設信息值。也就是說，通過該預設信息值在寫入待測存儲器