應理解，盡管在此使用術(shù)語第一、第二等來描述不同元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，不應由這些術(shù)語來限制這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分從另一區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，下面描述的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分也可以稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導。 為了描述的方便，在此使用空間相對術(shù)語，例如“底下”、“之下”、“之上”、“上”等，來描述一個元件或特性與其他元件或特性的關系，如圖所示。應理解，空間相對術(shù)語旨在包括除圖中所描述的指向之外使用或操作的設備的不同指向。例如，如果將在圖中的器件翻轉(zhuǎn)，描述為在其他元件或特性“之下”或“底下”的元件將被指向為在其他元件或特性“之上”。因此，示例性術(shù)語“之下”包括上和下的兩個取向?？梢韵喾吹刂赶蛟O備(旋轉(zhuǎn)90度或其他指向)并且相應地解釋在此使用的空間相對描述符。 在此使用的術(shù)語僅僅是為了說明特定實施例的目的，而不旨在限制本發(fā)明的示例性實施例。如在此使用，單數(shù)形式“a”、“an”和“the”也旨在包括復數(shù)形式，除非上下文清楚指示。還應理解，當在本說明書中使用時，術(shù)語“包含”和/或“包括”指定所述特性、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，而不排除一個或多個其他特性、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或增加。 在此參照截面圖描述了本發(fā)明的示例性實施例，這些截面圖是本發(fā)明的理想化示例性實施例的原理圖。這樣，期望由于例如制造工藝和/或容差所導致的說明的形狀的變化。因此，本發(fā)明的示例性實施例不應被構(gòu)建為限制于在此說明的區(qū)域的特定形狀，而是包括由于例如制造所導致的形狀的偏差。例如，示為矩形的蝕刻區(qū)將典型地具有圓形或弧形的特征。因此，在圖中所說明的區(qū)域在本質(zhì)上是原理性的，它們的形狀不旨在說明器件的區(qū)域的實際形狀，并且不旨在限制本發(fā)明的示例性實施例的范圍。 除非另外限定，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領域中普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。還應理解術(shù)語，例如那些在通常使用的字典中使用的術(shù)語，應被解釋為具有與它們在相關技術(shù)的上下文中的含義一致的含義，并且不以理想化或者過分形式的意義來解釋，除非在此明顯地定義。 現(xiàn)在將參照圖3A至3J描述本發(fā)明的各種實施例。圖3A至3J是說明制造非易失性存儲器件的方法的截面圖。首先參照圖3A，在包括第一區(qū)和第二區(qū)的半導體襯底100上形成所示的溝槽掩模圖形110。第一區(qū)是包括多個存儲晶體管的單元陣列區(qū)，以及第二區(qū)是外圍區(qū)，其包括電連接到存儲晶體管的多個功能電路。溝槽掩模圖形110可以由例如氮化硅、氧化硅和/或多晶硅構(gòu)成。溝槽掩模圖形110可包括順序?qū)盈B的襯墊絕緣層112、掩模絕緣層114和抗反射層。襯墊絕緣層112可由氧化硅形成，而掩模絕緣層114可由氮化硅形成。 使用溝槽掩模圖形110作為蝕刻掩模，可以各向異性地蝕刻半導體襯底100，以形成限定有源區(qū)的器件隔離溝槽105。因此，有源區(qū)對應于在形成溝槽105期間位于溝槽掩模圖形110之下的半導體襯底100的區(qū)域。可在有源區(qū)中形成晶體管的溝道區(qū)和源區(qū)/漏區(qū)。這樣，第一區(qū)中的有源區(qū)(在下面稱為“第一有源區(qū)”)具有比第二區(qū)中的有源區(qū)(在下面稱為“第二有源區(qū)”)小的寬度。 參照圖3B，在包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的所得結(jié)構(gòu)上形成填充器件隔離溝槽105的器件隔離層。器件隔離層可通過化學汽相淀積(CVD)由例如氧化硅形成?？梢晕g刻器件隔離層，直到露出溝槽掩模圖形110，由此形成填充器件隔離溝槽105的器件隔離層圖形121和122。在下文，在第一區(qū)和第二區(qū)中形成的器件隔離層圖形121、122可分別被稱為“第一器件隔離層圖形121”和“第二器件隔離層圖形122”?？梢允褂孟鄬τ跍喜垩谀D形110具有蝕刻選擇性的蝕刻配方，通過化學機械拋光(CMP)工序來蝕刻器件隔離層。如在此使用，“使用相對于層A具有蝕刻選擇性的蝕刻配方蝕刻層B”意味著“使用可以最小化層A的蝕刻的蝕刻配方來蝕刻層B”。 在本發(fā)明的某些實施例中，在形成器件隔離層之前，可以進一步執(zhí)行用于在器件隔離溝槽105的內(nèi)壁上形成氧化硅層(未示出)的熱氧化工序?？梢酝ㄟ^熱氧化工序來修復(cure)在形成器件隔離溝槽105期間產(chǎn)生的蝕刻損壞。此外，在熱氧化工序之后，還可以在包括器件隔離溝槽105的所得結(jié)構(gòu)的整個表面上進一步形成襯墊層(未示出)，這可以限制或甚至防止由于雜質(zhì)穿透的晶體管的特性變化。襯墊層可以通過CVD由例如氮化硅形成。 現(xiàn)在參照圖3C，除去露出的溝槽掩模圖形110，以在器件隔離層圖形121和122之間形成第一開口141和第二開口142。第一開口141露出第一有源區(qū)的頂表面，并且第一二口142露出第二有源區(qū)的頂表面。

19.如權(quán)利要求13的非易失性存儲器件，其中底部分的寬度比第一有源區(qū)的寬度大。 20.如權(quán)利要求13的非易失性存儲器件，其中第一器件隔離層圖形的頂表面低于第一下導電圖形的頂表面。 21.如權(quán)利要求13的非易失性存儲器件，其中第一器件隔離層圖形的頂表面低于第二器件隔離層圖形的頂表面。 22.如權(quán)利要求13的非易失性存儲器件，其中第二器件隔離層圖形的頂表面高于第一下導電圖形的底部分的頂表面。 23.如權(quán)利要求13的非易失性存儲器件，其中第二下導電圖形包括層疊的第一導電層圖形和第二導電層圖形，其中第一導電層圖形具有與第一下導電圖形的底部分相同的厚度。 24.如權(quán)利要求23的非易失性存儲器件，其中第二下導電圖形的第一導電層圖形在第二器件隔離層圖形和第二下導電圖形的第二導電層圖形之間延伸，以限定“U”形截面。 25.如權(quán)利要求23的非易失性存儲器件，其中第二導電層圖形具有與第一下導電圖形的延伸部分相同的厚度。 26.如權(quán)利要求13的非易失性存儲器件，其中第二下導電圖形的相對側(cè)壁接觸第二器件隔離層圖形，以及第二上導電圖形設置在第二下導電圖形和第二器件隔離層圖形上。 27.如權(quán)利要求13的非易失性存儲器件，其中柵層間絕緣層圖形插入第二下導電圖形和第二上導電圖形之間，并具有在第二下導電圖形上形成的開口，使得第二下導電圖形和第二上導電圖形彼此直接接觸。