各向同性蝕刻
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| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 2021-05-15 | 238 |
| 生產(chǎn)多層體的方法 | 2021-05-16 | 728 |
| 減少應(yīng)力的TSV和插入結(jié)構(gòu) | 2021-05-25 | 111 |
| 雙端納米管器件和系統(tǒng)及其制作方法 | 2021-05-28 | 95 |
| 多層體及其制造方法 | 2021-05-18 | 893 |
| 雙端納米管器件和系統(tǒng)及其制作方法 | 2021-05-29 | 334 |
| 多層線路基板、多層線路基板用基材、印刷線路基板及其制造方法 | 2021-05-27 | 878 |
| 非易失性存儲器單元與非易失性存儲器陣列及其操作方法 | 2021-05-30 | 72 |
| 電子部件和半導(dǎo)體裝置、其制造方法和裝配方法、電路基板與電子設(shè)備 | 2021-05-13 | 989 |
| 設(shè)計和制造精確折疊的高強度的抗疲勞的結(jié)構(gòu)物的方法和用于該結(jié)構(gòu)物的板材 | 2021-05-31 | 173 |
| 電子部件和半導(dǎo)體裝置、其制造方法和裝配方法、電路基板與電子設(shè)備 | 2021-05-14 | 398 |
| 小型三維垂直NAND及其制造方法 | 2021-05-26 | 762 |
| 雙極晶體管的縮放 | 2021-05-17 | 529 |
| 每一存儲單元電荷存儲元件具有雙重控制柵極的閃速存儲單元陣列 | 2021-05-22 | 778 |
| 小型三維垂直NAND 及其制造方法 | 2021-05-19 | 466 |
| 每一存儲單元電荷存儲元件具有雙重控制柵極的閃速存儲單元陣列 | 2021-05-23 | 362 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 2021-05-20 | 875 |
| 對粒子和電磁輻射的探測、測量及控制 | 2021-05-24 | 931 |
| 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 2021-05-12 | 444 |
| 具有比字線更厚的選擇柵極電極的三維存儲器器件及其制造方法 | 2021-05-21 | 385 |
| 標(biāo)題 | 發(fā)布/更新時間 | 閱讀量 |
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| 用于高管芯破裂強度和平滑的側(cè)壁的激光劃片和等離子體蝕刻 | 2020-05-15 | 716 |
| 供各向同性銅蝕刻的蝕刻調(diào)配物 | 2020-05-11 | 223 |
| 降低的各向同性蝕刻劑材料消耗及廢料產(chǎn)生 | 2020-05-11 | 626 |
| 具有球形凹陷柵極的半導(dǎo)體器件的制造方法 | 2020-05-17 | 44 |
| 用各向同性蝕刻來形成精細(xì)圖案的方法 | 2020-05-12 | 403 |
| 精細(xì)結(jié)構(gòu)部件，其制造方法及使用它的產(chǎn)品 | 2020-05-14 | 107 |
| 閃存存儲器的制作方法 | 2020-05-17 | 217 |
| 氧化硅和氧化鍺的各向同性原子層蝕刻 | 2020-05-12 | 588 |
| 用于漸逝模式電磁波空腔諧振器的各向同性蝕刻空腔 | 2020-05-13 | 101 |
| 蝕刻方法 | 2020-05-15 | 222 |
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